Physical, Technical and Computer Sciences Institute of Yuriy Fedcovich Chernivtsi National University

Department of Optoelectronics

Recent main publications

  1. Л.A. Косяченко, Е.Л. Маслянчук, И.M. Раренко, В.M. Склярчук. Исследование собирания носителей в CdZnTe-детектрах рентгеновского и -излучения  фотоэлектрическим методом. // Физика и техника полупроводников, 2004,том 38, вып.8, ст.1018-1023.
  2. L. A. Kosyachenko, O. L. Maslyanchuk, I. M. Rarenko, and V. M. Sklyarchuk. Conductivity mechanism of CdZnTe, CdMnTe and CdHgTe single crystals // Phys. Status Solidi (c). 2004. vol.  1, No 4. pp.925–928.
  3. L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.V. Motushchuk, V.M. Sklyarchuk. Charge transport generation-recombination mechanism in Au /n-CdZnTe diodes // Solar Energy Materials & Solar Cells. 2004. vol. 82. pp. 65-73.
  4. В.П. Махний, М.М. Сльотов, И.В. Ткаченко. Зеленая люминесценция диффузионных слоев селенида цинка // Журнал технической физики, 2004,том 74, вып.6, ст.137-138.
  5. V.P. Makhniy, M.M. Sletov, E.V. Stets, I.V. Tkachenko, V.V. Gorley, P.P. Horley. Application of modulation spectroscopy for determination of recombination center parameters. // Thin Solid Films. 2004. vol. 450. pp. 222-225.
  6. В.П. Махний, М.М. Сльотов, И.В. Ткаченко. Влияние вакуумного отжига на краевую люминесценцию нелегированого селенида цинка // Физика и техника полу-проводников, 2004,том 38, вып.9, ст.1034-1035.
  7. В.П. Махний, Н.Д. Раранский, М.М. Сльотов, И.В. Ткаченко. Влияние примеси магния на структуру, спектры люминесценции и отражения кристалов ZnSe // Неорганические материалы, 2004,том 40, №9, ст.1-4.
  8. В.Г. Охрем, Е.А. Охрем. Влияние теплообмена ветвей холодильного элемента  Пельтье на эффект термоэлектрического охлаждения // Прикладная физика, 2004, №.5, ст.101-106.
  9. Л.А Косяченко, Х. Mathew В.В. Мотущук, В.М. Склярчук, генерационно-рекомбинационный механизм переноса заряда в тонкопленочном гетеро переходе CdS/CdTe //Физика и техника полупроводников, 2005,том 39, вып.5, ст.569-572.
  10. L. A. Kosyachenko, O. L. Maslyanchuk, . Efficiency spectrum of a CdTe X-and y-ray detector with a Schottky diode // Phys. Status Solidi (c). 2005. vol.  2, No 3. pp.1194–1199.
  11. L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.M. Sklyarchuk. Special Features of Charge Transport in Schottky Diodes Based on Semi-insulating CdTe // Semiconductors. 2005. vol. 39. No6 pp. 722-729.
  12. V. P. Makhniy  Semiinsulating Layers of Cadmium Telluride. Technical Physics, Vol. 50, No. 11, 2005, pp. 1513–1514
  13. В.П. Махний Особенности физических свойств модифицированной поверхности теллурида кадмия// Физика и техника полупроводников, 2005,том 39, вып.7, ст.826-828
  14. В.П. Махний А.М. Слетов, М.М. Слетов, И.В. Ткаченко Влияние сверхстехиометрических компонент на люминесценцию нелегированных кристаллов селенида цинка// Известия высших учебных заведений. Физика №1,2005. ст. 56-60.
  15. V. P.Makcniy, V.V Melnyk, I.V. Tkachenko, P.N .Gorley, Zs. Horvath, P.P Gorley, Yu. V. Vorobiev. Electrical properties of UV detectors based on zinc selenide with modified surface barrier// Phys. Status Solidi (c). 2003. vol. 0 , No 3. pp.1039–1043 ( не ввійшла у звіт за 2003-2004 р.)
  16. L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk. Active region of CdTe X-/-ray detector with Schottky diode // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2005. vol. 8. N. 2. pp. 47-52.
  17. Л.А.Косяченко, И.М.Раренко, Е.Ф.Склярчук, И.И.Герман, SunWeiguo. Электрические характеристики фотодиодов ITO/HgInTe. //ФТП, 2006, 40(5), ст.568-571.
  18. L.A. Kosyachenko, X. Mathew, V.V. Motushchuk, V.M. Sklyarchuk. Electrical properties of electrodeposited CdTe photovoltaic devices on metallic substrates: study using small area Au-CdTe contacts.// Solar Energy, 2006, 80(2) р.148-155.
  19. Л.А. Косяченко. Проблемы эффективности фотоэлектрического преобразования в тонкопленочных солнечных элементах CdS/CdTe.// ФТП., 2006, 40(6), ст.730-746.
  20. Л.А. Косяченко, В.В. Кульчинский, С.Ю. Паранчич, В.М. Склярчук. Электрические характеристики CdHgTe-фотодиодов для длин волн 1.3 и 1.55 мкм. // ЖТФ. 2006, 76(9) ст. 88-93.
  21. L.A. Kosyachenko, E.V. Grushko, V.V. Motushchuk. Recombination losses in thin-film CdS/CdTe photovoltaic devices. //Solar Energy Materials and Solar Cells, 2006, 90(15) р.2201-2212.
  22. Л.А. Косяченко, О.Л. Маслянчук, В.М. Склярчук, Е.В. Грушко, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, Y. Hatanaka. Особенности электрических характеристик диодов Шоттки на основе CdTe с почти собственной проводимостью.// Письма в ЖТФ, 2006. 32(24) ст. 29-37 .
  23. Л.А. Косяченко, В.В. Кульчинский, С.Ю. Паранчич, В.М. Склярчук. Возможности использования твердого раствора Cd0.8Hg0.2Te в солнечных элементах.// ФТП,2007, 41(1) ст. 95-103.
  24. L.A. Kosyachenko, V.V. Kulchynsky, S.Yu. Paranchych, V.M. Sklyarchuk, S.G. Guminetsky. Limiting efficiency of solar cells based on CdxHg1-xTe (x=0.8). // Photoelectronics. 2006. N.15. p. 19-22
  25. V.P. Makhniy, I.V. Tkachenko, P.M. Gorley, P.P. Horley, V.K. Dugaev, J. Barnas, M.Vieira and W. Dobrowolski. Peculiarties of defect formation processes in ZnSe crystals with isovalent Te impurity.// Phys. Stat. Sol 2006, (c) 3, No.4, p.829-832.
  26. V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, V.V. Gorley, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez. Band srucrure investigations of GaN films using modulation spectroscopy.// Applied Surface Science. 2006, v.253, p.246-248
  27. V.P. Makhniy M.V.Demich, Sletov M.M., Gorley P.P. Vorobiev Yu.V. Gonzalez-Hermandez J. Optical properties of cadmium selenide heterostructures with quantum-scale surface formation // Thin Solid Films, 2006, v.495, P. 372-374
  28. В.П. Махний. Влияние термического отжига на физические свойства поверхностных слоев монокристаллического теллурида кадмия // Поверхность. Рентгеновские, синхро-тронные и нейтронные исследования, 2006, N 5, С. 93-97
  29. В.П. Махний, Гривул В.И. Диффузионные слои ZnTe:Sn с электронной проводимостью.// ФТП, 2006, Т.40, В.7,С.794-795
  30. V.P. Makhniy V.V. Melnyk, Sletov M.M, O.V. Stets. Semiconductor UV-radiation detectors for biology and medicine.// Proceedings of SPIE, 2006, v.6054,
  31. V.P. Makhniy, V.V. Mel’nyk, Sletov M.M, P.N. Gorley, P.P. Horley. Optical properties of cadmium sulfide with quantum-scale surface structure. // Proceedings of SPIE, 2006, v.6029,p.
  32. V.P. Makhniy, V.V. Mel’nyk, P.N. Gorley, P.P. Horley , M. Sletov, Detectors of UV and x-ray irradiation on the based of metal-zinc selenide contact.// Proceedings of SPIE, 2006, v.6024,p 2006
  33. Л.А. Косяченко, В.В. Кульчинский, С.Ю. Паранчич, В.М. Склярчук. Возможности использования твердого раствора Cd0.8Hg0.2Te в солнечных элементах. ФТП 41(1) 95-103 (2007).
  34. L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.M. Sklyarchuk, E.V. Grushko, V.А. Gnatyuk, T. Aoki, Y. Hatanaka. Electrical characteristics of semi-insulating CdTe single crystals and CdTe Schottky diodes. J. Appl. Pys. 101(1) 013704-9 (2007).
  35. X. Mathew, L.A. Kosyachenko, V.V. Motushchuk, O.F. Sklyarchuk. Requirements imposed on the electrical properties of the absorbed layer in CdTe-based solar cells. J. Materials Science: Materials in Electronics. 18(10) 1021-1028 (2007).
  36. L A Kosyachenko, V M Sklyarchuk, O F Sklyarchuk, V.A. Gnatyuk. Features of the generation-recombination processes in CdTe-based Schottky diodes. Semicond. Sci. Technol. 22 (2007) 911-918.
  37. В.П. Махний, М.М. Слетов, И.В. Ткаченко. Природа зеленой полосы люминесценции в кристаллах селенида цинка // Оптический журнал. Т. 74, №6, 2007 г. ,с. 28-30
  38. В.И. Гривул, В.П. Махний, М.М. Слетов. Природа краевой люминесценции диффузионных слоев ZnSe:Sn, // ФТП, 2007, т. 41, вып..7, с. 806-807
  39. V.P. Makhniy, V.V. Mel’nyk, , M.M. Sletov, O.V. Kinzerskaya, B. Cvikl, D. Korosak, P.N. Gorley, P.P. Horley. Optical properties of ZnO:Mn heterolayers with quantum-scale surface formations // Proceeding MIDEM, 2007, p.85-87
  40. В.П. Махний, М.М. Слетов, C.В. Хуснутдинов. Получение гетерослоев ZnO на подложках халькогенидов цинка. // Неорганические материалы, 2007, т. 43, №12, с. 1-3
  41. Arkhilyuk L.I, Makhny, V.P. ,Sletov M.M, Horley V.V., Tkachenko I.V. Mechanisms of defect formation for ZnSe with isovalent oxygen impurity. // Telecom. and Radio Engeneer, 2007, V.66, N 5, P.456-471
  42. V.I. Gryvul, V.P. Makhny, I.V.Tkachenko. Defects formation in diffusive layers ZnSe:Sn and ZnSe:Mg. // Functional Materials 14, N. 3, 2007, p.1-4
  43. P.Basa, G. Molnar, A.A. Koos, L. Dozsa, A. Nemcsics, Zs.J. Horvath, P.N. Gorley V.P. Makhniy, S.V. Bilichuk, V.M. Frasunyak, P.P. Horley. Formastion of Ge nanocrystals by electron beam evaporation // Physics, chemistry and application of nanostructures, 2007, V.1, p. 431-434
  44. P.N. Gorley, Z.M. Grushka, V.P. Makhniy, O.G. Grushka, O.A. Chervinsky, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev and J. Gonzalez-Hernandez. Current transport mechanisms in n-InSe/p-CdTe heterojuctions.Phys. Stat. Sol. (c) 5 №12, (2008) 3622-3625.
  45. V.P. Makhniy , V.V Mel’nyk, M.M. Slyotov, P.N. Gorley, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev and J. Gonzalez-Hernandez. Optical properties of ZnTe layers formet over surface – modified ZnSe substrates.// Applied surface science. V255 №3, 2008. p.767-769
  46. V.P. Makhniy , V.V Mel’nyk, N.V. Skrypnyk, and V.V. Horley. Electrical properties of surface- barrier diodes based on the CdTe crystals with modified surface.// Telecommunications and Radio Engineering. 66(19). 2007 1769-1774
  47. З.Ю. Готра, П.Й. Стахіра, В.П. Махній, В.В. Черпак, В.В. Мельник, Л.І. Архілюк, Д.Ю. Волинюк. Фізичні властивості PEDOT:PSS-ZnSe гетеропереходу.// Оптико-електронні інформаційно енергетичні технології. №2(14), 2007, с.238-242
  48. P.N. Gorley, I.V. Prokopenko, Z.M. Grushka, V.P. Makhniy, O.G. Grushka, O.A. Chervinsky, Direct current transport mechanisms in n-InSe/p-CdTe heterosructurie // Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectonics, 2008. V.11 №2, р.124-131
  49. X.L. Zhang, W.G. Sun, LA Kosyachenko, L. Zhang. Temperature dependence of the energy band gap of HglnTe. // Infrared Phys. and Techn. 51(3) 256-258 (2008).
  50. Л А. Косяченко, И.И. Герман, ИM. Раренко, З.И Захарук, Е.С. Никонюк. Примесная проводимость монокристалов Hg3ln2Te6. ФТТ,2008 т.42, 5. с.528-531.
  51. L A Kosyachenko, Е V Grushko, AI Savchuk. Dependence of charge collection thin-film CdTe solar cells on the absorber layer parameters.// Semicond. Sci. Technol. 23 (2008) 025011 p.1-7.
  52. V.A. Gnatyuk, O.I. Vlasenko, L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.M. Sklyarchuk, E.V. Grushko, T Aoki. CdTe-based Schottky diode X-ray detectors for medical imaging.// ProcSPIE, 7008, (2008). pp. 70081Z1-70081Z10.
  53. LA. Kosyachenko, О.L. Maslyanchuk, V.A Gnatyulc, С Larnbropoulos, I.M. Rarenko, V M Sklyarchuk, О.F Sklyarchuk, Z.I Zakharuk. Charge collection properties of CdTe Schottky diode for X- and у -rays detectors.// Semicond. Sci Technol. 23 07S024 (p.1-8) (2008)
  54. А.Л. Євтушенко, Г.В. Лашкарьов, В.Й. Лазоренко, В.А. Карпина, В.Д Храновський, Л.А. Косяченко, B.M. Склярчук, О.Ф. Склярчук. // Детектор ультрафіолетового випромінювання на основі ZnO, легованого азотом.// Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. 3.(2008).С 40-44
  55. Ievtushenko, G. Lashkarev, V. Lazorenko, V. Karpyna, V. Sichkovskyi, L.Kosyachenko, V. Sklyarchuk, O. Sklyarchuk. Ultraviolet detectors on ZnO:N thin films with different contact structures // Acta Physica Polonica 114 1123-1129 (2008).
  56. Makhniy V.P., Skrypnyk N.V. Formation and properties of nCdO/pCdTe heterojunction. // Telecom. and Radio Enginer., 2008, V.67(19), P.1763-1768
  57. Ievtushenko, G. Lashkarev, V. Lazorenko, V. Karpyna, V. Sichkovskyi, L. Kosyachenko, V. Sklyarchuk, O. Sklyarchuk, V. Bosy, F. Korzhinski, A. Ulyashin, V. Khranovskyy and R. Yakimova. Ultraviolet detectors based on ZnO:N thin films with different contact structures. Acta Physica Polonica A 114(5) 1123-1129 (2008).
  58. L.A. Kosyachenko, V.M. Sklyarchuk, O.F. Sklyarchuk, O.L. Maslyanchuk, V.A. Gnatyuk, T. Aoki. Higher Voltage X- and γ-Ray Schottky Diode Detectors with Low Leakage Current. Nuclear Science Symposium Conference Record, 2008. NSS '08. pp. R12-66 (1-7).
  59. V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, S.V. Khusnutdinov. Luminescence of zinc oxide layers synthesized on zinc selenide substrates by the isovalent substitution method. // Russian Phys. Journ., 2009, v. 52, N2, p. 216-217
  60. Махний В.П., Бойко Ю.Н., Скрипник Н.В. Механизмы прохождения прямого тока в фотодиодах Au-CdTe с модифицированной поверхностью. // ФТП, 2009, т.43, В.5, С.630-631.
  61. Savchuk A.I., Makhniy V.P., Fediv V.I., Kleto G.I., Savchuk S.A. Semimagnetic semiconductor oxides as materials for transparent electronics and spintronics. // Phys. Stat. Sol. A, V.206, N.9, P.2177-2181
  62. Makhniy V.P., Skrypnyk N.V., Boyko Yu.N., Perspective of surface modifications on CdTe single crystal substrate for creation of photosensitive barrier structures. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectonics, 2009. V.12 №2, р.143-146
  63. L.A. Kosyachenko, A.I. Savchuk, E.V. Grushko. Dependence of efficiency of thin-film CdS/CdTe solar cell on parameters of absorber layer and barrier structure. Thin Solid Film. 517 (2009) 2386–2391.
  64. L.A. Kosyachenko, I.S. Kabanova, V.M. Sklyarchuk, O.F. Sklyarchuk, I.M. Rarenko. Hg3In2Te6-based photodiodes for fiber optic communication. Phys. Stat. Sol. A 206, No. 2, 351–355 (2009).
  65. Л.А. Косяченко, А.И. Савчук, Е.В. Грушко. Влияние толщины поглощающего слоя на эффективность CdS/CdTe солнечного элемента. ФТП. 43(8) 1060-1064 (2009).
  66. O.L. Maslyanchuk, L.A. Kosyachenko, I.I. German, I.M. Rarenko, V.A. Gnatyuk, T. Aoki. Electrical and optical properties of Hg3In2Te6 single crystals. Phys. Stat. Sol. (c) 6, No. 5, 1154–1157 (2009).
  67. O.L. Maslyanchuk, L.A. Kosyachenko, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, I.M. Rarenko, V.M. Sklyarchuk. Capabilities of CdZnTe-based Schottky diodes for detection of optical and X/-ray radiation. Phys. Stat. Sol. C 6, No. 5, 1282–1286 (2009).
  68. L. A. Kosyachenko, V. A. Gnatyuk, T. Aoki, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, O. L. Maslyanchuk. Super high voltage Schottky diode with low leakage current for X- and -ray detector application. Appl. Phys. Lett. 94, 092109 (2009) (pp3).
  69. L.A. Kosyachenko, V.M. Sklyarchuk, O.F. Sklyarchuk, O.L. Maslyanchuk, V.A. Gnatyuk, T. Aoki. Higher Voltage Ni/CdTe Schottky Diodes With Low Leakage Current. IEEE Transaction on Nuclear Science. 56, 1827-1834 (2009). (issue 4, part 1).
  70. L. Kosyachenko, G. Lashkarev, E. Grushko, A. Ievtushenko, V. Sklyarchuk, X. Mathew and P.D. Paulson. Spectral Distribution of Photoelectric Efficiency of Thin-Film CdS/CdTe Heterostructure. Acta Physica Polonica A 116(5) 833-835 (2009).
  71. В.П. Махний, В.В. Косоловський, М.М. Слетов, Н.В. Скрипник, А.М. Слетов. Природа краевой люминесценции диффузионных слоев CdTe:Mg // ФТП, 2010, т.44, В.9, С.1203-1205. І=0,624
  72. A.I. Savcuk, V.P. Makhniy, V.I. Fediv, G.I. Kleto, S.A. Savchuk, A.Perrone, L. Cultrera. Effects of codoping in ZnO – based semimagne tic semiconductors thin films // Material Sceince and Engenering, 2010, V.8, P.1-4. І=1,901
  73. V.P. Makhniy, O.V. Kinzerskaya, P.P. Horley. Optical Properties of ZnSe:V Crystals.// Telecom. And Radio Engineer. 2010, 69 (15), P.1401-1406. I=0,423
  74. V. P. Makhniy, O.V. Kinzerskaya, V.S. Yl’yanitskiy. Electrophysical Properties of Zinc Selenid Diffusions Layers Doped with 3-d Elements from the Vapor Phase // Telecom and Radio Engineer. 2009, 68 (19), P. 1735-1739. I=0,423
  75. Л.А. Косяченко, Т. Аоки, О.Л. Маслянчук, С.В. Мельничук, В.М. Склярчук, О.В. Склярчук. Особенности механизма электропроводимости полуизолирующих монокристаллов CdTe. ФТП. 44(6), 729-734 (2010). І=0,624
  76. A.I. Ievtushenko, G.V. Lashkarev, V.I. Lazorenko, V.A. Karpyna, M.G. Dusheyko, V.M. Tkach, L.A. Kosyachenko, V.M. Sklyarchuk, O.F. Sklyarchuk, K.A. Avramenko, V.V.Strelchuk, and Zs.J. Horvat. Effect of nitrogen doping on photoresponsiviti of ZnO films. Phys. Status. Solidi A 207(7) 1746-1750 (2010). I=1,214
  77. L.A. Kosyachenko, G.V. Lashkarev, V.M. Sklyarchuk, A.I. Ievtushenko O.F. Sklyarchuk, V.I. Lazorenko А. Ulyashin. ZnO-based photodetector with internal photocurrent gain. Phys. Status. Solidi A 207(8) 1972-1977 (2010). I=1,214
  78. Л.А. Косяченко, Е.В. Грушко. Напряжение холостого хода, фактор заполнения и коэффициент полезного действия CdS/CdTe солнечного элемента. ФТП. 44(10) 1422-1429 (2010). І=0,624
  79. L.A. Kosyachenko, E. Diequez, T. Aoki, C.P. Lambropoulos, V.A. Gnatyuk, M. Fiederle, S.V. Melnychuk, O.L. Maslyanchuk, O.F. Sklyarchuk, O.V. Sklyarchuk, E.V. Grushko. Special Features of Conductivity of Semi-Intrinsic CdTe and CdZnTe Single Cristals used in X- and γ-ray Detectors. Proc. SPIE. 7805 78051 (2010). I=0,553
  80. T. Aoki, V.A. Gnatyuk, L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, E.V. Grushko. Charge transtort mechanisn in CdTe-based p-n junction detectors formed by laser irradiations. Proc. SPIE. 7805 780517 (2010) I=0,553
  81. В.П. Махний, В.Е. Протопов, Н.В. Скрипник,. Механизм диффузии олова в монокристаллах  ZnTe // Неорганическии материалы, 2011, т.47, №.9, С.1-3. І=0,387
  82. В.П. Махний, В.В. Мельник, И.Г. Орлецкий. Инжекционный У.Ф. – фотодиод на основе селенида цинка. Приборы и техника эксперимента. 2011,  №.3, С.167 І=0,3
  83. В.П. Махний,  Н.В. Скрипник. Механизмы прохождения тока в контактах Au-CdTe с модифицированной поверхностью. ФТП, 2011, т.45, №.3, С.1-3. І=0,624
  84. В.П. Махний, С.В. Хуснутдинов, R. Jakela. Механизм образования гетерослоев ZnO  на подложках ZnTe. Неорганическии материалы, 2011, т.47, №.7, С.831-833. І=0,387
  85. В.П. Махний, В.В. Мельник, И.Г. Орлецкий. Детекторы ультрафиолетового излучения с внутренним усилением на основе гетероструктуры SnO2-ZnSe. Письма в ЖТФ. 2011, т.37, №.8, С.21-25. І=0,53
  86. T. Aoki, V. A. Gnatyuk, L. A. Kosyachenko, O. L. Maslyanchuk, and E. V. Grushko. Transport Properties of CdTe X/γ-Ray Detectors With p-n Junction. IEEE Transactions on Nuclear Science. 58(1), 354-358 (2011).
  87. L.A. Kosyachenko, G.V. Lashkarev, A.I. Ievtushenko, V.I. Lazorenko, V.M. Sklyarchuk, O.F. Sklyarchuk. Detector with high internal photocurrent gain based on ZnO:N. J. Acta Physica Polonica A, 119(5), 681-682 (2011).
  88. Л.А. Косяченко, В.М. Склярчук, О.В. Склярчук, О.Л. Маслянчук. Ширина запрещенной зоны кристаллов CdTe и Cd0.9Zn0.1Te. ФТП45(10), 1323-1330 (2011).
  89. C Lambropoulos, T. Aoki, J. Crosso, E. Diegues, C. Disch, A. Fauler, M. Fiederle, D.S. Hatzistratis, V.A. Gnatyuk, K. Karafasoulis, L.A. Kosyachenko, S.N. Levytskyi, D. Loukas, O.L. Maslyanchuk, A. Medvids, T. Orphanoudakis, I. Papadakis, A. Papadimitriou, C. Potiriadis, T. Schulman, V.M. Sklyarchuk, K. Spartiotis, G. Theodoratos, O.I. Vlasenko, K. Zachariadou, M. Zervakis. The COCAE Detector: An Instrument for Localization – Identification of Radioactive Sources // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2011. – Vol.58.   №5 part 1. – P. 2363-2370.
  90. L. A. Kosyachenko, M. Fiederle, C. P. Lambropoulos, S. V. Melnychuk, O. L. Maslyanchuk, O. V. Sklyarchuk, V. M. Sklyarchuk, E. V. Grushko Self-Compensation Limited Conductivity in Semi-insulating Indium-Doped Cd0.9Zn0.1Te Crystals // Nuclear Science Symposium Conference Record, 2011. NSS '11.  
  91.  L. Kosyachenko. Efficiency of Thin-Film CdS/CdTe Solar Cells. In: Solar Energy. Edited by R.D. Rugescu. Intech, Croatia. 2010. pp. 105-130.
  92. Leonid A. Kosyachenko (2011). Thin-Film Photovoltaics as a Mainstream of Solar Power Engineering, In: Solar Cells – Thin-Film Technologies, Edited by L.A. Kosyachenko ISBN: 978-953-307-570-9, InTech Open Ecces Publisher, 2011, pp. 1-38.
  93. Л.А. Косяченко, Є.В. Грушко. Перспективи застосування тонкоплівкового телуриду кадмію в сонячній енергетиці. Укр. Фіз. Журнал. Огляди. 7(1) 3-30 (2012).
  94. Л.А. Косяченко, Т. Аоки, О.Л. Маслянчук, С.В. Мельничук, В.М. Склярчук, О.В. Склярчук. Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe. ФТП. 44(6), 729-734 (2010).
  95. A. I. Ievtushenko, G. V. Lashkarev, V. I. Lazorenko, V. A. Karpyna, M. G. Dusheyko, V. M. Tkach, L. A. Kosyachenko, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, K. A. Avramenko, V. V. Strelchuk, and Zs. J. Horvath. Effect of nitrogen doping on photoresponsivity of ZnO films. Phys. Stat. Sol. A 207(7) 1746–1750 (2010).
  96. А.І. Євтушенко, Г.В. Лашкарьов, В.Й. Лазоренко, Л.А. Косяченко, В.М. Ткач, І.І. Штеплюк, Т.Ш. Османов. Ультрафіолетові фотодіоди: вплив рівня легування азотом на фоточутливість плівок ZnO. Sensor Electronics and Microsystem Technologies. 1(7)2 36-41 (2010).
  97. L.A. Kosyachenko, G.V. Lashkarev, V.M. Sklyarchuk, A.I. Ievtushenko, O.F. Sklyarchuk, V.I. Lazorenko, A. Ulyashin. ZnO-based photodetector with internal photocurrent gain. Phys. Stat. Sol. A 207(8), 1972-1977 (2010).
  98. Л.А. Косяченко, Е.В. Грушко. Напряжение холостого хода, фактор заполнения и коэффициент полезного действия CdS/CdTe солнечного элемента. ФТП. 44(10) 1422-1429 (2010).
  99. L.A. Kosyachenko, E. Diequez, T. Aoki, C.P. Lambropoulos, V.A. Gnatyuk, M. Fiederle, S.V. Melnychuk, O.L. Maslyanchuk, O.F. Sklyarchuk, O.V. Sklyarchuk,  E.V. Grushko. Special Features of Conductivity of Semi-Intrinsic CdTe and CdZnTe Single Crystals used in X- and γ-ray Detectors. Proc. SPIE Vol. 7805 780517 (2010) 8 pages.
  100. T. Aoki, V.A. Gnatyuk, L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, E.V. Grushko. Charge transport mechanism in CdTe-based p-n junction detectors formed by laser irradiation. Proc. SPIE Vol. 7805 780511 (2010) 8 pages.
  101. Л.А. Косяченко, І.М. Раренко, Н.С. Юрценюк, О.Л. Маслянчук, , З.І. Захарук, Є.В. Грушко. Cd1 xMnxTe як матеріал для детекторів Х- і γ-випромінювання. Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. 1(7)3 74-80 (2010).
  102. А.І. Євтушенко, Г.В. Лашкарьов, В.Й. Лазоренко, Л.А. Косяченко, В.М. Склярчук Перспективи створення ультрафіолетових фоторезисторів на основі плівок  ZnO // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології, 1(7)3 55-60 (2010).
  103. А.І. Євтушенко, Г.В. Лашкарьов, В.Й. Лазоренко, Л.А. Косяченко,. В.М. Склярчук, О.Ф. Склярчук. Особливості фоточутливості структури Ni/n-ZnO/p-Si. Сенсорна електроніка та мікросистемні технології, 1(7)4 21-26 (2010).
  104. C. Lambropoulos, T. Aoki, E. Diegues, C. Disch, A. Fauler, M. Fiederle, D.S. Hatzistratis, V.A. Gnatyuk, K. Karafasoulis, L.A. Kosyachenko, S.N. Levytskyi, D. Loukas, A. Medvids, O.L. Maslyanchuk, T. Orphanoudakis, I. Papadakis, A. Papadimitriou, C. Potiriadis, T. Schulman, V.M. Sklyarchuk, K. Spartiotis, G. Theodoratos, K. Zachariadou, M. Zervakis. The COCAE Detector: An Instrument for Localization – Identification of Radioactive Sources. IEEE Transactions on Nuclear Science. 58(5), Part 1. pp. 2363-2370 (2011).
  105. T. Aoki, V. A. Gnatyuk, L. A. Kosyachenko, O. L. Maslyanchuk, and E. V. Grushko. Transport Properties of CdTe X/γ-Ray Detectors with p-n Junction. IEEE Transactions on Nuclear Science. 58(1), 354-358 (2011).
  106. L.A. Kosyachenko, G.V. Lashkarev, A.I. Ievtushenko, V.I. Lazorenko, V.M. Sklyarchuk, O.F. Sklyarchuk. Detector with high internal photocurrent gain based on ZnO:N. Acta Physica Polonica A, 119(5), 681-682 (2011).
  107. Л.А. Косяченко, В.М. Склярчук, О.В. Склярчук, О.Л. Маслянчук. Ширина запрещенной зоны кристаллов CdTe и Cd0.9Zn0.1Te.ФТП. 45(10), 1323-1330 (2011).
  108. V.Ya. Roshko, L.A. Kosyachenko, E.V. Grushko. Theoretical Analysis of Optical Losses in CdS/CdTe Solar Cells. Acta Physica Polonica. 120(5) 954-956 (2011).
  109. N.S. Yurtsenyuk, L.A. Kosyachenko, V.M. Sklyarchuk, O.L. Maslyanchuk, O.F. Sklyarchuk, E.V. Grushko. Self-Compensation Mechanism in Semi-Insulating CdMnTe Crystals Intended for X/-Ray Detectors. Acta Physica Polonica. 120(5) 957-959 (2011).
  110. L.A. Kosyachenko, I.M. Rarenko, T. Aoki, V.M. Sklyarchuk, O.L. Maslyanchuk, N.S. Yurtsenyuk, Z.І. Zakharuk.  Energy band gap and electrical conductivity of Cd1–xMnxTe alloys with different manganese content. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 14(4), 421-426 (1011).
  111. L. A. Kosyachenko, M. Fiederle, C. P. Lambropoulos, S. V. Melnychuk, O. L. Maslyanchuk, O. V. Sklyarchuk, V. M. Sklyarchuk, E. V. Grushko Self-Compensation Limited Conductivity in Semi-insulating Indium-Doped Cd0.9Zn0.1Te Crystals. IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record. 23-29 Oct. 2011, Valencia, Spain. RTSD.S-235 pp. 4532-4539.
  112. Косяченко Л.А., Склярчук В.М., Мельничук С.В., Маслянчук О.Л., Грушко Е.В., Склярчук О.В. Влияние концентрации нескомпенсированных примесей на свойства детекторов рентгеновского и γ-излучения на основе CdTe. ФТП. 46(3) 389-395 (2012).
  113. L.A. Kosyachenko, E.V. Grushko, X. Mathew. Quantitative assessment of optical losses in thin-film CdS/CdTe solar cells. Solar Energy Materials & Solar Cells 96(1) 231–237 (2012).
  114. L.A. Kosyachenko, C.P. Lambropoulos, T. Aoki, E. Dieguez, M. Fiederle, D. Loukas, O.V. Sklyarchuk, O.L. Maslyanchuk, E.V. Grushko, V.M. Sklyarchuk, J. Crocco, H. Bensalah. Concentration of uncompensated impurities as a key parameter of CdTe and CdZnTe crystals for Schottky diode X/-ray detectors. Semicond. Sci. Technol. 27(1), 015007 (2012) (11pp)
  115. Л.А. Косяченко, Е.В. Грушко, Т.И. Микитюк. Поглощательная способность полупроводников, используемых в производстве солнечных панелей. ФТП. 46(4), 482-486 (2012).
  116. L.A. Kosyachenko, S.V. Melnychuk, O.L. Maslyanchuk, V.M. Sklyarchuk, O.F. Sklyarchuk, M. Fiederle, C.P. Lambropoulos. Self-compensation limited conductivity in semi-insulating induim-doped Cd0.9Zn0.1Te crystals. J. Appl. Phys. 112(1) 013705 (2012) (8 pp).
  117. Махний В.П. Определение энергии ионизации уровней ванадия в селениде цинке / В.П. Махний, О.В. Кинзерская // ФТП. – 2012. – Т.46, вып. 2. – С.150-151.
  118. L.A. Kosyachenko, T. Aoki, C.P. Lambropoulos, V.M. Sklyarchuk, E.V. Grushko, O.L. Maslyanchuk, O.V. Sklyarchuk. Optimal width of barrier region in X/-ray Schottky diode detectors based on CdTe and CdZnTe // Journal of Applied Physics.  2013.  113 054504.
  119. L. Kosyachenko, T. Aoki, C. Lambropoulos, V. Gnatyuk, V. Sklyarchuk, O. Maslyanchuk, E. Grushko, O. Sklyarchuk, A. Koike.  High Energy Resolution CdTe Schottky Diode -Ray Detectors // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2013.   60(4), Р.2845 - 2852.
  120. Toru Aoki, O.L. Maslyanchuk, L.A. Kosyachenko, V.A. Gnatyuk. Reasons of low charge collection efficiency in CdTe-based X/-ray detectors with ohmic contacts // Proc. SPIE. – 2013.   8852-49.
  121. В.П. Махний, И.И. Герман, Черных Е.И.  Влияние обработки на параметры поверхности монокристаллических подложек теллурида кадмия. / Поверность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2013 №6, ст.65-67.