Інститут фізико-технічних та комп'ютерних наук Чернівецького Національного Університету імені Юрія Федьковича

Кафедра електроніки і енергетики

Ключові публікації

Монографії

  1. Мар’янчук П.Д., Брус В.В., Тонкі плівки оксидів металів та гетеропереходи на їх основі, Рута, Чернівці, 2013, с. 292.
  2. Мар’янчук П.Д., Майструк Е.В., Напівмагнітні напівпровідники на основі халькогенідів ртуті, Родовід, Чернівці, 2014. – 272 с.

Публікації в журнах

  1. Maryanchuk P.D., Maistruk E.V., Giant magnetoresistance in Hg1-x-yMnxFeyTe crystals, Russian Physics Journal 50 (2007) 985-992. (IF = 0.408)
  2. Maryanchuk P.D., Maistruk E.V., Effect of heat treatment in sulfur and mercury vapors on the magnetic susceptibility of Hg1-xMnxTe1-ySy crystals, Inorganic materials, 44 (2008) 475-480. (IF = 0.376)
  3. Zayachuk D.M., Mikityuk V.I., Frasunyak V.M., Shlemkevych V.V., High temperature transformation in the defects and impurities system of PbTe:Eu crystals, Journal of Crystal Growth, 311 (2009) 4670-4674. (IF = 1.552)
  4. Brus V.V., Ilashchuk M.I., Kovalyuk Z.D., Maryanchuk P.D. and Ulyanytky K.S., Electrical and photoelectrical properties of photosensitive heterojunctions n-TiO2/p-CdTe, Semicond. Sci. Technol. 26 (2011) 125006. (IF = 1.921)
  5. Kovalyuk T.T., Maistruk E.V., Maryanchuk P.D., Magnetic, optical and kinetic properties of Hg1-х-уMnхDyуTe, Inorganic Materials 49 (2013) 468–472. (IF = 0.376)
  6. Shtepliuk I., Lashkarev G., Khomyak V., Lytvyn O., Marianchuk P., Timofeeva I., Ievtushenko A., Lazorenko V., Features of the influence of the deposition power and Ar/O2 gas ratio on the microstructure and optical properties of the Zn0.9Cd0.1O films, Thin Solid Films 520 (2012) 4772–4777. (IF = 1.604)
  7. Brus V.V., On quantum efficiency of nonideal solar cells, Solar Energy 86 (2012) 786-791.    (IF = 2.952)
  8. Brus V.V., On impedance spectroscopy analysis of nonideal heterojunctions, Semicond. Sci. Thecnol. 27 (2012) 035024. (IF = 1.921)
  9. Brus V.V., Open-circuit analysis of thin film heterojunction solar cells, Solar Energy 86  (2012) 1600-1604. (IF = 2.952)
  10. Brus V.V., Pidkamin L.J., Abashin S.L., Kovalyuk Z.D., Maryanchuk P.D., Chugai O.M., Optical constants and polarimetric properties of TiO2-MnO2 thin films, Optical Materials 34 (2012) 1940-1945. (IF = 1.918)
  11. Solovan M.N., Brus V.V., Maryanchuk P.D., Kovalyuk T.T., Rappich J. and Gluba M., Kinetic properties of the TiN thin films obtained by reactive magnetron sputtering, Physics of the Solid State 55 (2013) 2234–2238. (IF= 0.769)
  12. Brus V.V., Ilashchuk M.I., Kovalyuk Z.D., Maryanchuk P.D., Parfenyuk O.A., Surface-barrier heterojunctions TiO2/CdZnTe, Semicond. Sci. Technol. 28 (2013) 015014. (IF = 1.921)
  13. Mostovyi A.I., Brus V.V., Maryanchuk P.D. Charge transport mechanisms in anisotype n-TiO2/p-Si heterostructures, Semiconductors 47 (2013) 788-792. (IF=0.6)
  14. Brus V.V., Zellmeier M., Zhang X., Greil S.M., Gluba M., Töfflinger A.J., Rappich J., Nickel N.H., Electrical and photoelectrical properties of P3HT/n-Si hybrid organic-inorganic heterojunction solar cells, Organic Electronics 14 (2013) 3109–3116. (IF = 3.836).
  15. V.V. Brus, M.A. Gluba, X. Zhang, K. Hinrichs, J. Rappich, N.H. Nickel, Temperature and light dependent electrical properties of Graphene/n-Si-CH3-terminated solar cells, Solar Energy 107 (2014) 74-81. (IF = 3.541)
  16. M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, J. Rappich, N. Nickel, S.L. Abashin, Fabrication and characterization of anisotype heterojunctions n-TiN/p-CdTe, Semicond. Sci. Technol. 29 (2014) 015007. (IF = 2.207)
  17. R. Yatskiv, J. Grym, V.V. Brus, O. Cernohorsky, P.D. Maryanchuk, C. Bazioti, G. P. Dimitrakopulos, Ph. Komninou, Transport properties of metal-semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles, Semicond. Sci. Technol. 29 (2014) 045017. (IF = 2.207)
  18. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Photosensitive Shottky-type heterojunctions prepared by the drawing of graphite films, Appl. Phys. Lett. 104 (2014) 173501. (IF = 3.515)
  19. .N. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, I.M. Fodchuk, V.M. Lorents, A.M. Sletov, M.M. Sletov, M. Gluba, Structural and рhotoluminescent properties of TiN thin films, Optics and Spectroscopy 117 (2014) 753–755 (IF = 0.673)
  20. V.V. Brus, Aung Ko Ko Kyaw, P.D. Maryanchuk, Jie Zhang, Temperature and light dependent diode current in high-efficiency solution-processed small-molecule solar cells, Organic Electronics 15 (2014) 2141-2147. (IF = 3.676)
  21. R. Yatskiv, V.V. Brus, M. Verde, J. Grym, P. Gladkov, Electrical and optical properties of graphite/ZnO nanorods heterojunctions, Carbon 77 (2014) 1011–1019. (IF = 6.16)
  22. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Graphite trace on water surface: a step toward the low-cost pencil-on-semiconductor electronics and optoelectronics, Carbon 78 (2014) 613–616. (IF = 6.16)
  23. A.I. Mostoviy, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Mechanisms of current transport in the heterojunctions based on TiO2:Cr2O3 thin films, Semiconductors 48 (2014) 1174-1177. (IF = 0.705)
  24. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, J. Rappich, I.S. Babichuk, Z.D. Kovalyuk, Graphitic carbon/n-CdTe Schottky-type heterojunction solar cells prepared by electron-beam evaporation, Solar Energy 112 (2015) 78-84. (IF = 3.469
  25. О.Г. Грушка, А.И. Савчук, С.Н. Чупыра, С.В. Биличук,Поведение примеси железа в кристаллах Hg3In2Te6, ФТП49 (2015) 913-915 (IF = 0.603)
  26. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Z.D. Kovalyuk S.L. Abashyn, 2D nanocomposite photoconductive sensors fully dry drawn on regular paper, Nanotechnology 26 (2015) 255501. (IF = 3.84)
  27. V.V. Brus, Aung Ko Ko Kyaw, P.D. Maryanchuk, Jie Zhang, Quantifying bulk and interface defect states in high-efficiency solution-processed small molecule solar cells from impedance and capacitance characteristics, Progress in Photovoltaics: Research and Applications23 (2015) 1526–1535. (IF = 9.696)
  28. V.Khomyak, I.Shtepliuk, V. Khranovskyy and R. Yakimova, Band-gap engineering of  ZnO1-хSх films grown by rf magnetron sputtering of ZnS target, Vacuum 121 (2015) 120-124. (IF =1.86).
  29. M.N. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk,Z.D. Kovalyuk, Temperature dependent electrical properties and barrier parameters of photosensitive heterojunctions n-TіN/p-Cd1−xZnxTe, Semiconductor Science and Technology 30 (2015) 075006. (IF = 2.19)
  30. И.Г. Орлецкий, П.Д. Марьянчук, Э.В. Майструк,М.Н. Солован, В.В. Брус,Низкотемпературный спрей-пиролиз пленок FeS2, их электрические и оптические свойствах, ФТT 58(1) (2016) 39-43 (IF = 0.82)
  31. И.Г. Орлецкий, М.И. Илащук, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, М.Н. Солован, З.Д. Ковалюк, Электрические и фотоэлектрические свойства  гетероструктур TiN/p-InSe, ФТП 50(3) (2016) 339-343. (IF = 0.705)
  32. M.M. Solovan, V.V. Brus, A.I. Mostovyi, P.D. Maryanchuk, E. Tresso, N.M. Gavaleshko, Molybdenum oxide thin films in CdTe-based electronic and optoelectronic devices, Phys. Status Solidi RRL, 1–4 (2016) / DOI 10.1002/pssr.201600010 (IF = 2.142)
  33. Orletskii, I. G., Mar’yanchuk, P. D., Solovan, M. N., Maistruk, E. V., Kozyarskii, D. P. Peculiarities in electrical and optical properties of Cu2Zn1–x Mnx SnS4 films obtained by spray pyrolysis. Technical Physics Letters, (2016).  42(3), 291-294. IF (Scopus) =0.671 , SNIP=0.984 http://link.springer.com/article/10.1134/S1063785016030263

  34. V.V. Brus, I.S. Babichuk, I.G. Orletskyi, P.D. Maryanchuk, V.O. Yukhymchuk, V.M. Dzhagan, I.B. Yanchuk, M.M. Solovan, I.V. Babichuk, Raman spectroscopy of Cu-Sn-S ternary compound thin films prepared by the low-cost spray-pyrolysis technique // Applied Optics – V.55, №12 – 2016. – Р.B158 ¬– B162. IF (Scopus) =1.463, SNIP=1.147 https://www.osapublishing.org/ao/abstract.cfm?uri=ao-55-12-B158

  35. Orletskii, I. G., Mar’yanchuk, P. D., Solovan, M. N., Brus, V. V., Maistruk, E. V., Kozyarskii, D. P., Abashin, S. L. Optical properties and mechanisms of current flow in Cu2ZnSnS4 films prepared by spray pyrolysis. Physics of the Solid State, (2016). 58(5), 1058-1064. IF (Scopus) =0.731 , SNIP=0.833 http://link.springer.com/article/10.1134/S1063783416050188

  36. Kovalyuk, T. T., Maistruk, E. V., Maryanchuk, P. D. Magnetic, optical, and kinetic properties of Hg1− x− y Cdx Gdy Se crystals. Inorganic Materials, (2016). 52(5), 447-451. IF (Scopus) =0.494, SNIP=0.628 http://link.springer.com/article/10.1134/S1063783416050188

  37. Orletskii, I. G., Maryanchuk, P. D., Maistruk, E. V., Solovan, M. N., Koziarskyi, D. P., Brus, V. V. Modification of the properties of tin sulfide films grown by spray pyrolysis. Inorganic Materials, (2016).  52(8), 851-857. IF (Scopus) =0.494, SNIP=0.628 http://link.springer.com/article/10.1134/S0020168516080148

  38. Solovan, M. N., Mostovyi, A. I., Brus, V. V., Maistruk, E. V.,  Maryanchuk, P. D. (2016). Electrical and photoelectric properties of n-TiN/p-Hg3In2Te6 heterostructures. Semiconductors, (2016).  50(8), 1020-1024. IF (Scopus) =0.783 , SNIP= 1.004 http://link.springer.com/article/10.1134/S1063782616080236

  39. Solovan, M. M., Gavaleshko, N. M., Brus, V. V., Mostovyi, A. I., Maryanchuk, P. D., Tresso, E. Fabrication and investigation of photosensitive MoOx/n-CdTe heterojunctions. Semiconductor Science and Technology, (2016).  31(10), 105006. IF (Scopus) =1.462 , SNIP= 0.894 http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/31/10/105006/meta

  40. Brus V. V. Light dependent open-circuit voltage of organic bulk heterojunction solar cells in the presence of surface recombination. Organic Electronics, 2016, 29: 1-6. IF (Scopus) =3.471 , SNIP=1.088 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1566119915302068

  41. L. A. Kosyachenko, V. Yu. Lytvynenko, O. L. Maslyanchuk. Quantitative analysis of optical and recombination losses in Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Semiconductors, 50 (4) 508-516 (2016). IF = 0.701 http://link.springer.com/article/10.1134/S1063782616040138

  42. Maslyanchuk O., Kulchynsky V., Solovan M., Gnatyuk V., Potiriadis C., Kaissas I., Brus V. Diodes based on semi-insulating CdTe crystals with Mo/MoOx contacts for X- and γ-ray detectors. Phys. Status Solidi C. 1–4 (2016). (IF = 0.83) http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.201600232/full

Патенти

  1. Брус В. В., Миронюк  Д. В., Микитюк В.І. "Роторний вітродвигун" Патент  на корисну модель №25604. Опубл. 10.08.2007, Бюл. № 12
  2. Горлей П.М., Микитюк В.І,Шлемкевич В.В.    "Біогазова установка" Патент  на   корисну модель ,  №20193.  Опубл. 15.01.2007. Бюл. № 1.
  3. Орлецький І.Г., Горлей П.М., Тимків О.М., Микитюк В.І. Генератор аерозолю хімічних розчинів для піролізу тонких плівок. Патент № 31056 (Україна). Дата реєстрації: 25.03.2008.
  4. Брус В. В., Микитюк В.І. Роторний вітродвигун. Патент  на корисну   модель № 35691. Опубл. 25.09.2008.   Бюл. № 18, 2008 р.
  5. Ілащук М.І., Парфенюк О.А., Ульяницький К.С. Патент на корисну модель. Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі СdTe. – 2010.
  6. Шлемкевич В.В. Патент на корисну модель. Автономний зарядний пристрій. – 2010.
  7. Пат. 54531 Україна МПК F21V14/00. Світлодіодний освітлювальний пристрій/ Девятков В.М., Мар’янчук П.Д., Микитюк В.І.: винахідники і власники:  Девятков Валерій Миколайович, Мар’янчук Павло Дмитрович, Микитюк Василь Іванович заявлено 12.04.2010; опубл. 10.11.2010, Бюл.№21 – 4с.
  8. Пат. 56654 Україна МПК С30В13/00. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу/ Андрущак Г.О., Мар’янчук П.Д.: власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 11.06.2010; опубл. 25.01.2011, Бюл.№2 – 4с.
  9. Пат. 57157 Україна МПК Н01L33/26. Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура/Брус В.В., Ковалюк З.Д., Мар’янчук П.Д.: власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 30.07.2010; опубл. 10.02.2011, Бюл.№3 – 4с.
  10. Пат. 60531 України  МПК С30В 13/00 Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу/Майструк Е.В., Мар’янчук П.Д. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 12.11.2010; опубл. 25.06.2011, Бюл.№12 – 4с.
  11. Пат. 60532 України  МПК С30В 13/00 Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу/Майструк Е.В., Мар’янчук П.Д. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 12.11.2010; опубл. 25.06.2011, Бюл.№12 – 4с.
  12. Пат. 62625 України МПК H01L 33/00 Сонячний елемент / Брус В.В., Ілащук М.І., Ковалюк З.Д., Мар’янчук П.Д., Ульяницький К.С. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 04.01.2011; опубл. 12.09.2011, Бюл.№17 – 4с.
  13. Пат. 64288 України МПК С30В13/00 Спосіб отримання термоелектричного матеріалу Майструк Е.В., Мар’янчук П.Д. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено15.02.11 опубл. 10.11.2011, Бюл.№21 – 4с.
  14. Патент 80759 України МПК H01L33/00 Гетерофотодіод / Солован М.М., Брус В.В., Мар’янчук П.Д., Кафанов А.М.. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено17.12.12 опубл. 10.06.2013, Бюл. №11 – 4с.
  15. Пат. 92085  Україна, МПК H01L 33/00. Фотодіод на основі p-Hg3In2Te6 / Солован М.М., Майструк Е. В., Брус В. В., Мар’янчук П.Д., Кафанов А.М.; власник: Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. - № u201402684, заявл. 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14– 4с.
  16. Пат. 92083 України  МПК C30B 13/00 Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури / Козярський І.П., Козярський Д.П., Майструк Е. В., Мар’янчук П.Д. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл.№14 – 4с.
  17. Пат. 92084 Україна, МПК H01L 33/26. Фотодіод на основі гетероструктури / Мостовий А.І., Брус В.В., Мар’янчук П.Д., Кафанов А.М.; заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14– 4с.
  18. Пат. 94627  Україна, МПК H01L 33/00. Спосіб виготовлення фоточутливих гетероструктур на основі нарисованих графітових плівок / Брус В. В., Мар’янчук П.Д.; власник: Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 19.05.2014; опубл. 25.11.2014, Бюл. № 22– 4с.
  19. Пат. 92086  Україна, МПК H01L 33/00. Фотоприймач n-TiN/р-CdTe / Солован М.М., Брус В.В., Мар’янчук П.Д., Ілащук М.І. Ульяницький К.С.; власник: Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. - № u201402685, заявл. 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14– 4с.
  20. Пат. 92087  Україна, МПК H01L 33/00. Спосіб виготовлення фоточутливих діодів шотткі на основі плівок графіту / Брус В.В., Мар’янчук П.Д.; власник Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14– 4с.
  21. Пат. 103918 Україна, МПК H01L 33/00, Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4 (CZTS) / Солован М.М., Майструк Е.В., Мостовий А.І., Мар’янчук П.Д., Брус В.В., Ковалюк Т.Т., Козярський Д.П., Козярський І.П.; власник: Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявлено 02.06.15 опубл. 12.01.2016, Бюл. №1 – 4с.