Інститут фізико-технічних та комп'ютерних наук Чернівецького Національного Університету імені Юрія Федьковича

Кафедра електроніки і енергетики

Мар'янчук Павло Дмитрович

Посада: завідувач кафедри
Вчений ступінь: доктор фізико-математичних наук
Вчене звання: професор
E_mail: p.maryanchuk@chnu.edu.ua

Нагороди:

  • Почесна грамота Чернівецької обласної ради (2000 р.)
  • Грамота управління освіти Чернівецької міської ради (2005 р.)
  • Почесна грамота Міністерства освіти і науки України (2012 р.)
  • Відмінник освіти України (2015 р.)

Тематика наукових досліджень:

  • Кристали та тонкі плівки звичайних і напівмагнітних халькогенідних напівпровідників та оксидів металів: технологія одержання, магнітні, кінетичні, оптичні та фотоелектричні властивості, створення на їх основі приладів електроніки, спінтроніки, сонячної енергетики і світловипромінюючих структур.

Курси, що читає:

  1. Джерела світла і приймачі оптичного випромінювання (л)
  2. Основи вакуумної і кріогенної техніки (л)
  3. Н/п перетворювачі сонячної енергії (л)
  4. Електронні процеси в напівпровідниках (л, пр.)
  5. Основи метрології та електричних вимірювань (л)
  6. Напівмагнітні н/п - матеріали для спінтроніки (л)
  7. Енергетична електроніка (л)
  8. Вступ у спеціальність (л)

Додаткова інформація:

            В 1978 р. закінчив ЧДУ (кафедра напівпровідникових матеріалів), фізик.

            В 1984 р. захистив кандидатську дисертацію.

            В 1998 р. захистив докторську дисертацію “Електронні явища в напівмагнітних напівпровідникових твердих розчинах на основі AIIBVI”.

            В 2004 році присвоєно вчене звання - професор.

            Завідувач кафедри електроніки і енергетики з 2009 року.

            Мар’янчук П.Д. опублікував понад 300 наукових робіт (понад 160 наукових статей, 17 патентів, 2 монографії, 8 навчальних посібників (з них 1 з грифом МОН України), 7 методичних рекомендацій і вказівок до навчальних курсів і лабораторних робіт). Під його керівництвом захищено 7 кандидатських дисертацій та він є консультантом 2 докторських робіт.

 

Список основних публікацій:

 

Монографії

  1. П.Д. Мар’янчук,В.В. Брус, Тонкі плівки оксидів металів та гетеропереходи на їх основі, Родовід, Чернівці, 2014. – 292 с.
  2. П.Д. Мар’янчук,Е.В. Майструк, Напівмагнітні напівпровідники на основі халькогенідів ртуті, Родовід, Чернівці, 2014. – 272 с.

 

Навчальні посібники

  1. Мар’янчук П.Д., Техніка фізичного експерименту. Визначення параметрів напівпровідників, Чернівці „Рута”, 2002 – 79 с.
  2. Мар’янчук П.Д. Основи вакуумної та кріогенної техніки, Чернівці „Рута”, 2003 –
    90 с.
  3. Мар’янчук П.Д. Теплотехнічні вимірювання і прилади, Чернівці: „Рута”, 2004 – 71с.
  4. Мар’янчук П.Д. Метрологія і стандартизація, Чернівці: “Рута”, 2005.  – 84 с.
  5. Мар’янчук П.Д. Напівмагнітні напівпровідники – матеріали для спінтроніки, Чернівці: “Рута”, 2006.  – 96 с.
  6. Мар’янчук П.Д. Енергетична електроніка, Чернівці: “Рута”, 2007.  – 96 с.
  7. Мар’янчук П.Д.,Джерела світла і приймачі оптичного випромінювання, Рута, Чернівці, 2013, с. 216. (Рекомендовано МОН України).
  8. Мар’янчук П.Д., Брус В.В.,Напівпровідникові перетворювачі сонячної енергії, Рута, Чернівці, 2013, с. 92.

 

Методичні роботи і рекомендації

  1. Мар’янчук П.Д. Метрологія та керування якістю. Основні терміни й поняття (Методичні рекомендації) Чернівці „Рута”, 1996 – 36 с.
  2. Мар’янчук П.Д., Фрасуняк В.М. Матеріали електронної техніки (Методичні вказівки до розв’язування задач) Чернівці „Рута”, 1996 – 39 с.
  3. Мар’янчук П.Д. Фізико – хімічні основи матеріалознавства (Методичні рекомендації) Чернівці „Рута”, 1996 – 40 с.
  4. Мар’янчук П.Д. Енергетична електроніка (Методичні вказівки до курсу) Чернівці „ЧНУ”, 2001 – 31 с.
  5. Мар’янчук П.Д. Енергетична електроніка (Методичні рекомендації до лабораторних робіт) Чернівці „ЧНУ”, 2001 – 41 с.
  6. Мар’янчук П.Д., Козярський Д.П., Брус В.В. Джерела світла і приймачі оптичного випромінювання (Методичні рекомендації до лабораторних робіт) Чернівці „ЧНУ”, 2012 – 44 с.
  7. Мар’янчук П.Д.,Брус В.В., Козярський Д.П., Напівпровідникові перетворювачі сонячної енергії, Рута, Чернівці, 2013, с. 56.

 

Патенти

  1. Пат. 54531 Україна МПК F21V14/00. Світлодіодний освітлювальний пристрій/ Девятков В.М., Мар’янчук П.Д., Микитюк В.І.: винахідники і власники: Девятков Валерій Миколайович, Мар’янчук Павло Дмитрович, Микитюк Василь Іванович заявлено 12.04.2010; опубл. 10.11.2010, Бюл. №21 – 4с.
  2. Пат. 56654 Україна МПК С30В13/00. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу/ Андрущак Г.О., Мар’янчук П.Д.: власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 11.06.2010; опубл. 25.01.2011, Бюл.№2 – 4с.
  3. Пат. 57157 Україна МПК Н01L33/26. Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура/Брус В.В., Ковалюк З.Д., Мар’янчук П.Д.: власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 30.07.2010; опубл. 10.02.2011, Бюл.№3 – 4с.
  4. Пат. 60531 України  МПК С30В 13/00 Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу/Майструк Е.В., Мар’янчук П.Д. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 12.11.2010; опубл. 25.06.2011, Бюл.№12 – 4с.
  5. Пат. 60532 України  МПК С30В 13/00 Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу/Майструк Е.В., Мар’янчук П.Д. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 12.11.2010; опубл. 25.06.2011, Бюл.№12 – 4с.
  6. Пат. 62625 України МПК H01L 33/00 Сонячний елемент / Брус В.В., Ілащук М.І., Ковалюк З.Д., Мар’янчук П.Д., Ульяницький К.С. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 04.01.2011; опубл. 12.09.2011, Бюл.№17 – 4с.
  7. Заявка на корисну модель № u 2011 01778 від 15.02.2011Спосіб отримання термоелектричного матеріалу Майструк Е.В., Мар’янчук П.Д.
  8. Пат. 80759 України  МПК Н01L 33/00. Гетерофотодіод / Солован М.М., Брус В.В., Мар’янчук П.Д., Кафанов А.М. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 17.12.2012; опубл. 10.06.2013 Бюл.№11– 4с.
  9. Пат. на корисну модель № u 2013 03107 від 14.03.2013 Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу Козярський І.П., Козярський Д.П., Мар’янчук П.Д.
  10. Пат. 89560 України  МПК C30B 13/00 Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з прямопропорційною залежністю електропровідності від температури / Мар’янчук П.Д. Майструк Е.В.,Димко Л.М. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 22.11.2013; опубл. 25.04.2014, Бюл.№8 – 4с.
  11. Пат. 92083 України  МПК C30B 13/00 Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури / Козярський І.П., Козярський Д.П., Майструк Е. В., Мар’янчук П.Д. власник: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича заявлено 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл.№14 – 4с.
  12. Пат. 92084 Україна, МПК H01L 33/26. Фотодіод на основі гетероструктури / Мостовий А.І., Брус В.В., Мар’янчук П.Д., Кафанов А.М.; заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14– 4с.
  13. Пат. 94627  Україна, МПК H01L 33/00. Спосіб виготовлення фоточутливих гетероструктур на основі нарисованих графітових плівок/ Брус В. В., Мар’янчук П.Д.; заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 19.05.2014; опубл. 25.11.2014, Бюл. № 22– 4с.
  14. Пат. 92085  Україна, МПК H01L 33/00. Фотодіод на основі p-Hg3In2Te6 / Солован М.М., Майструк Е. В., Брус В. В., Мар’янчук П.Д., Кафанов А.М.; заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. - № u201402684, заявл. 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14– 4с.
  15. Пат. 92086  Україна, МПК H01L 33/00. Фотоприймач n-TiN/р-CdTe / Солован М.М., Брус В. В., Мар’янчук П.Д., Ілащук М. І. Ульяницький К. С.; заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. - № u201402685, заявл. 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14– 4с.
  16. Пат. 92087  Україна, МПК H01L 33/00. Спосіб виготовлення фоточутливих діодів шотткі на основі плівок графіту / Брус В.В., Мар’янчук П.Д.; заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 18.03.2014; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14– 4с.
  17. Пат. 103918 Україна, МПК H01L 33/00, Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4 (CZTS) / Солован М.М., Майструк Е.В., Мостовий А.І., Мар’янчук П.Д., Брус В.В., Ковалюк Т.Т., Козярський Д.П., Козярський І.П.; власник: Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявлено 02.06.15 опубл. 12.01.2016, Бюл. №1 – 4с.

 

Статті:

  1. Марьянчук П.Д. О природе кластеров в кристаллах MnxHg1-xSe //Изв. Вузов СССР. Физика. - 1984. - Т.27, №1. - С.122-124.
  2. Марьянчук П.Д. Температурная зависимость эффективной массы электронов в кристаллах MnxHg1-xSe //Изв. вузов СССР. Физика. - 1984. - Т.27, №2. - С.95-96.
  3. Ляпилин И.И., Пономарев А.И., Харус Г.И., Гавалешко Н.П., Марьянчук П.Д. Особенности эффекта Шубникова-де Гааза в HgMnSe //ЖЭТФ. - 1983. - Т.85, в.5(11). - С.1638-1646.
  4. Гавалешко Н.П., Ляпилин И.И., Марьянчук П.Д., Пономарев А.И., Харус Г.И. Влияние обменного взаимодействия на g-фактор электронов проводимости в HgMnSe //ФТП. - 1984. - Т.18, в.6. - С.990-993.
  5. Марьянчук П.Д., Гавалешко Н.П. Неупорядоченные твердые растворы MnxHg1-xSe //Изв. АН СССР. Неорган. матер. - 1987. - Т.23, №8. - С.1271-1274.
  6. Марьянчук П.Д., Гавалешко Н.П. Влияние температуры на зонную структуру MnxHg1-xSe //Изв. вузов. Физика. - 1991. - Т.34, №4. - С.40-44.
  7. Марьянчук П.Д. Влияние термообработки кристаллов MnxHg1-xSe в парах ртути и селена на их магнитную восприимчивость//Изв. вузов. Физика. - 1993. - Т.36, №8. - С.54-59.
  8. Марьянчук П.Д. Влияние степени заполнения зоны проводимости на эффективную массу электронов в MnxHg1-xSe //Изв. вузов. Физика. - 1993. - Т.36, №9. - С.117-119.
  9. Кульбачинский В.А., Чурилов И.А., Марьянчук П.Д., Лунин Р.А. Гальваномагнитные свойства полумагнитных полупроводников Hg1-xMnxTe1-ySey //жэтф. - 1997. - Т.112, в. 5(11). - С. 1809-1815.
  10. Maryanchuk P.D., Maistruk E.V., Giant magnetoresistance in Hg1-x-yMnxFeyTe crystals, Russian Physics Journal 50 (2007) 985-992. (IF = 0.408)
  11. Maryanchuk P.D., Maistruk E.V., Effect of heat treatment in sulfur and mercury vapors on the magnetic susceptibility of Hg1-xMnxTe1-ySy crystals, Inorganic materials, 44 (2008) 475-480. (IF = 0.376)
  12. П.Д. Марьянчук, Г.О. Андрущак Магнитные свойства кристаллов
    Hg1-xMnxS // Изв. Вузов. Физика. – Т.51, №3. – 2008 - С. 59-63.
  13. Марьянчук П.Д., Козярский Д.П. Механизмы рассеяния электронов в кристаллах (3HgSe)1-x(Al2Se3)x, легированных марганцем // Изв. вузов. Физика. – 2009. – Т.52. – №12. – С.93-95.
  14. P. D. Mar’yanchuk and I. P. Koziarskyi1. Magnetic and band parameters of (3HgS)1–x(Al2S3)x (x = 0.5) crystals doped with manganese // Russian Physics Journal. – Vol. 53. N 1. - 2010 – PP 60-66.
  15. Kovalyuk T.T., Maistruk E.V., Maryanchuk P.D., Magnetic, optical and kinetic properties of Hg1-х-уMnхDyуTe, Inorganic Materials 49 (2013) 468–472. (IF = 0.376)
  16. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Photosensitive Shottky-type heterojunctions prepared by the drawing of graphite films, Appl. Phys. Lett. 104 (2014) 173501. (IF = 3.515)
  17. V.V. Brus, Aung Ko Ko Kyaw, P.D. Maryanchuk, Jie Zhang, Temperature and light dependent diode current in high-efficiency solution-processed small-molecule solar cells, Organic Electronics 15 (2014) 2141-2147. (IF = 3.676)
  18. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Graphite trace on water surface: a step toward the low-cost pencil-on-semiconductor electronics and optoelectronics, Carbon 78 (2014) 613–616. (IF = 6.16)
  19. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, J. Rappich, I.S. Babichuk, Z.D. Kovalyuk, Graphitic carbon/n-CdTe Schottky-type heterojunction solar cells prepared by electron-beam evaporation, Solar Energy 112 (2015) 78-84. (IF = 3.469)
  20. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Z.D. Kovalyuk S.L. Abashyn, 2D nanocomposite photoconductive sensors fully dry drawn on regular paper, Nanotechnology 26 (2015) 255501. (IF = 3.84)
  21. V.V. Brus, Aung Ko Ko Kyaw, P.D. Maryanchuk, Jie Zhang, Quantifying bulk and interface defect states in high-efficiency solution-processed small molecule solar cells from impedance and capacitance characteristics, Progress in Photovoltaics: Research and Applications23 (2015) 1526–1535. (IF = 9.696)
  22. M.M. Solovan, V.V. Brus, A.I. Mostovyi, P.D. Maryanchuk, E. Tresso, N.M. Gavaleshko, Molybdenum oxide thin films in CdTe-based electronic and optoelectronic devices, Phys. Status Solidi RRL, 1–4 (2016) / DOI 10.1002/pssr.201600010 (IF = 2.142)