Інститут фізико-технічних та комп'ютерних наук Чернівецького Національного Університету імені Юрія Федьковича

Кафедра фізики твердого тіла

Довганюк Володимир Васильович

Посада: Старший науковий співробітник.
Вчена ступінь: кандидат фізико-математичних наук.

Наукові інтереси:

  • Рентгенівська секційна та проекційна топографія дислокацій та їх комплексів у кристалах Si.

Основні публікації:

  1. V.B. Molodkin, S.I. Olikhovskii, Ye.M. Kyslovskyy, T.P. Vladimirova, E.V. Kochelab, O.V. Reshetnyk, V.V. Dovganyuk, І.М. Fodchuk, T.V. Lytvynchuk, V.P. Klad’ko and  Z. Swiatek. X-ray Diffractometry of Transformations of Microdefect Structure of Silicon crystals after high-energy lectron Irradiation //Phys.stat.sol.(a). 208, No.7,  р.1434-1438, (2011)
  2. Fodchuk І. Structural changes in Cz-Si single-crystal irradiated by high –energy electrons from high-resolution X-ray difractometry / І. Fodchuk, V. Dovganyuk, Т. Litvinchuk, V. Klad’ko, M. Slobodyan, Z. Swiatek  //Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2010. – V.6, № 2. P.  479-484
  3. Довганюк В. Трансформации в микродефектной структуре монокристаллов Cz-Si после облучения высокоэнергетическими электронами по данным рентгеновской дифрактометрии / В.В. Довганюк, В.Б. Молодкин, В.П. Кладько, Е.Н. Кисловский, С.И. Олиховский, Т.В. Литвинчук, И.М. Фодчук // Металофизика и новейшие технологии. -2010. т.30, №9. – C. 1246-1255.
  4. Довганюк В.В., Молодкин В.Б., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Олиховский С.А., Литвинчук Т.В., Фодчук И.М. Изменения дефектной структуры в монокристаллах Cz-Si после облучения высокоэнергетическими электронами по данным высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии // Металлофизика и новейшие технологии. - 2009. - Т.31, №12 - С.90-99.
  5. Dovganyuk V.V., Lytvynchuk T.V., Slobodyan V.V., Fodchuk I.M. Defect structure changes in the single Si-crystals after irradiation by high-energy electrons and long natural aging by high-resolution three-crystal X-ray diffractometry // Proceedings of SPIE. - 2008. - v.7008. - P.70081В-1-70081В-7.
  6. Dovganyuk V.V., Fodchuk I.M., Gimchinsky O.G., Oleinych-Lysyuk A.V., Nizkova A.I. Determination of dominant type of defects in CzSi singl crystals after irradiation with high-energy electrons by a change in X-ray reflectivity // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics. - 2006. - v.9, No.2. - P.95-103.
  7. Novikov S.N., Fedortsov D.G., Dovganyuk V.V. Use of acoustic waves in x-ray topography of silicon crystals // Proc. of SPIE. - 2004. - v. 5477. - P.222-228.