Посада: Старший науковий співробітник.
Вчена ступінь: кандидат фізико-математичних наук.
Телефон роб.: +38072244834

Наукові інтереси:

• Структурна діагностика монокристалів; топографія і дифрактометрія монокристалів та моделювання розсіяння Х-променів на дефектах кристалічної гратки

Основні публікації:

1. Fodchuk I.M. The features of x-ray topographic contrast formation in silicon with dislocation clusters / S.N.Novikov, D.G.Fedortsov, A.Ya.Struk, I.V.Yaremchuk // Crystallography Reports. – 2013. – Vol. 58. – No.7. – P.976-983.
2. Novіkov S.M. Calculated images of dislocations in crystals on section topograms / S.M. Novіkov, І.M. Fodchuk, D.G. Fedortsov, A.Ya. Struk // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics. – 2010. – Vol. 13. – №.3. – Р.268-272.
3. Novіkov S. X-ray sectіon іmages of dіslocatіons and dіslocatіon barrіers іn Sі / S. Novіkov, І. Fodchuk, D. Fedortsov, A. Struk // Phys.stat.sol. (a). – 2009. – Vol. A206. – №8. – P. 1820-1824.
4. Fedortsov D. X-ray images of dislocation loops and barriers in silicon crystals in the case of transmission geometry / D. Fedortsov, І. Fodchuk, S. Novіkov, A. Struk // Proc. of SPІE. – 2008. – Vol. 7008. – P.70081A-1-5.
5. Fodchuk І. X-ray acoustіc topography of defects іn Sі crystals / І. Fodchuk, S. Novikov, D. Fedortsov // Рhys. Stat. Sol. (a). – 2004. – Vol. 201. – №4. – P. 711-717.