Інститут фізико-технічних та комп'ютерних наук Чернівецького Національного Університету імені Юрія Федьковича

Кафедра фізики твердого тіла

Каземірський Тарас Анатолійович

Посада  Асистент
Вчена ступінь  кандидат фізико-математичних наук.
Телефон роб.: +38072244834
E-mail: hummerh2@mail.ru

Дисципліни, що викладаються:

  • Структурний аналіз (лабораторний практикум)
  • Фізпрактикум з механіки, молекулярної фізики.
  • НДРС.

Наукові інтереси:

  • Високо роздільна Х-променева дифрактометрія структурних порушень у при поверхневих шарах Si та кристалічних з’єднань CdHgTe, YLaFeO після іонної імплантації.

Основні публікації:

  1. Fodchuk I. Structural changes in arsenic ion implanted Hg1-xCdxTe epitaxial layers / I. Fodchuk, R. Zaplitnyy, T. Kazemirskiy [et al.] // Physica status solidi (a). – 2007 – Vol. 204. – N8. – P. 2714-2720.
  2. Fodchuk I. Structural changes in Si crystals exposed to chemical etching and ion implantation / I. Fodchuk, R. Zaplitnyy, T. Kazemirskiy [et al.] // Physica status solidi (a).–2009 – Vol. 206. – N8. – P. 1804-1808.
  3. Vlasov A. Reconstruction of lattice structure of ion-implanted near-surface regions of Hg1−XCdXTe epitaxial layers / A.P. Vlasov, O.Yu. Bonchyk, T. Kazemirskiy [et al.] // Thin solid films. – 2008 – Vol 516. – P.8106-8111.
  4. Заплитный Р. Структурные изменения в эпитаксиальных структурах модифицированных ионной имплантацией / Р.А. Заплитный, Т.А. Каземирский, И.М. Фодчук [и др.] // Металлофизика и новейшие технологии. – 2006 – т. 28. – №8. C. 1013-1029.
  5. Zaplitnyy R. Structural changes in graded band-gap epitaxial layers HgCdТе after ion implantation / R.A. Zaplitnyy, I.M. Fodchuk, T.A. Kazemirskiy [et al.] // Proceedings of SPIE. – 2008 – Vol. 7008. – P.70081C-1–70081C-6.