Інститут фізико-технічних та комп'ютерних наук Чернівецького Національного Університету імені Юрія Федьковича

Кафедра фізики твердого тіла

Наукова робота кафедри

Загальний науковий напрямок кафедри фізики твердого тіла: Динаміка кристалічної ґратки, фізико-механічні властивості та механізми дефектоутворення в полікристалах, монокристалах і надґраткових структурах (2011 - 2015).

Окремі напрямки:
а) розробка нових і вдосконалення існуючих методик та підходів, а також алгоритмів та програмного забезпечення для аналізу картин дифракції електронів на відбивання та даних високороздільної Х-променевої дифрактометрії з метою підвищення можливостей діагностики нанорозмірних структурних порушень, характеристик дефектів, розподілу макро- і мікродеформацій у кристалічних об’єктах та на границях розділу багатошарових нанорозмірних систем (проф. Фодчук І.М.);
б) розробка й удосконалення ультразвукових імпульсних та інфразвукових установок і методик дослідження пружних та непружних характеристик у матеріалах з різним типом хімічного зв’язку для підвищення точності й експресності їх вимірювання та вивчення мікромеханізмів еволюції дефектної системи кристалів під час (in situ) та після дії зовнішніх силових полів; процесів самоорганізації дефектів у сильно нерівноважних структурах; особливостей протікання процесів мікродеформації на різних мезоскопічних рівнях тощо (д.ф.-м.н., проф. Раранський М.Д., к.ф.-м.н., доц. Олійнич-Лисюк А.В., доц. Балазюк В.Н.)

Нова НДР (прикладна, напрям «Загальна фізика») подана на конкурс науково-технічних проектів МОН України у 2013 р.: «Розробка методів прецезійної Х-променевої дифрактометрії деформаційних станів епітаксіальних наноструктур з гетеровалентними переходами А3В5/А2В6» (Науковий керівник Фодчук І.М.)
Проект передбачає розвиток методів багатохвильової дифракції Х-променів та електронів як інструменту прецизійної діагностики деформаційних станів епітаксійних гетероструктур  і структур з гетеровалентними переходами на основі сполук А3В5 і А2В6. Перевагою методу є одночасне визначення змін міжплощинних відстаней у різних кристалографічних напрямках з мінімальними похибками.
Використання різноманітних ефектів багатохвильової дифракції Х-променів і синхротронного випромінювання в епітаксійних наногетероструктурах дозволить дослідити структурні порушення на границях розділу гетеровалентних переходів, глибини перемішування гетеровалентних інтерфейсів GaAs/ZnSe, визначити кількісні параметри точкових і об`ємних дефектів в епітаксіальних гетероструктурах (In, Al)GaAs, InAs і GaP, встановити їх взаємозв`язок зі структурними та електрофізичними властивостями.
Контрольовані зміни деформаційних станів атермічними впливами, які дозволяють певним чином змінювати співвідношення точкових і об'ємних дефектів, поліпшувати структурну досконалість зразків, будуть використані для перевірки правильності розробленого сценарію реалізації багатохвильової Х-променевої дифракції й обґрунтованності теоретичних та експериментальних припущень, що лежать в його основі.