Інститут фізико-технічних та комп'ютерних наук Чернівецького Національного Університету імені Юрія Федьковича

Кафедра фізики твердого тіла

Струк Андрій Ярославович

Посада  Асистент кафедри ФТТ.
Вчена ступінь  кандидат фізико-математичних наук.
Телефон роб.: +38072244834

Дисципліни, що викладаються:

  • Інформаційно-комунікативні технології
  • Методика викладання фізики у школі
  • Фізпрактикум з фізики, механіки, молекулярної фізики.

Наукові інтереси:

  • Особливості формування дифракційного контрасту дефектів та їх комплексів в кристалах Si у секційній та проекційній Х-променевій топографії.

Основні публікації:

  1. Fodchuk I.M. The features of x-ray topographic contrast formation in silicon with dislocation clusters / I.M.Fodchuk, S.N.Novikov, D.G.Fedortsov, A.Ya.Struk, I.V.Yaremchuk // Crystallography Reports. – 2013. – Vol. 58. – No.7. – P.976-983.
  2. Fodchuk Igor M. The features of X-ray topographic contrast formation in silicon with dislocation clusters / Igor M. Fodchuk, Sergiy M. Novikov, Andriy Ya. Struk// Proceedings Of SPIE 2011. - Vol. 8338. – P.83381B-1 – 83381B-8.
  3. Новиков С.Н. Рентгено-топографические изображения дислокационных петель в кристаллах / С.Н. Новиков, А.Я. Струк, И.М. Фодчук, Д.Г.Федосцов // Металлофизика и новейшие технологии. – 2010 – т. 32. – №10. – С.1325-1333.
  4. Novіkov S.M. Calculated images of dislocations in crystals on section topograms / S.M. Novіkov, І.M. Fodchuk, D.G. Fedortsov, A.Ya. Struk // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics. – 2010. – Vol. 13. – №.3. – Р.268-272.
  5. S. Novikov, I. Fodchuk, D. Fedortsov and A. Struk. X-ray section images of dislocations and dislocation barriers in Si// Phys.stat.sol.(a). 206, No.8, р.1820-1824, (2009)