Інститут фізико-технічних та комп'ютерних наук Чернівецького Національного Університету імені Юрія Федьковича

Кафедра комп'ютерних наук

Галочкін Олександр Вікторович

    

Учене звання: 

Учений ступінь:

Телефон роб.: +380372244730
E-mail: galochkin79@gmail.com

Дисципліни, що викладаються:
1.    Електротехніка та електроніка;
2.    Крос-платформне програмування;
3.    Операційні системи;
4.    Комп’ютерне моделювання динамічних систем;
5.    Технології захисту інформації.

 

 

Наукові інтереси:
Об’єктно-орієнтоване програмування, фізика напівпровідників, лазерна обробка напівпровідникових матеріалів.
Основні публікації:

Статті

  1. Savchuk A.I. Electrical, photoelectrical properties and crystal structure of A2B6 films, grown by laser sputtering /  A.I. Savchuk, B.M. Gritsyuk, O.V. Galochkin, M.M. Ryzhuk, S.Y. Paranchich // Thin Solid Films, V. 511-512, (2005), p. 478-482. DOI: 10.1016/j.tsf.2005.12.125.
  2. B.M Grytsyuk IR-photodetectors on CdSb, In4Se3, In4Te3 – epitaxial barrier structures/ Grytsyuk B.M, Galochkin O.V., Rarenko A.I. Strebezhev V.M.//International conference Material science and material properties for IR Optoelectronics (SPIE), (2003), p.41-42. DOI: 10.1117/12.502189.
  3. Галочкін О.В. Вплив потужного мілісекундного лазерного випромінювання на глибину проплавленого шару в кристалах CdTe та  Cd0,8Mn0,2Te / О.В. Галочкін, В.М. Жихаревич , С.Г. Дремлюженко // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 13 №1, (2012),  c. 224 - 229.
  1. Галочкін О.В. Вплив гравітаційної конвекції та седиментації в розплавах багатокомпонентних напівпровідників при вирощуванні їх кристалів спрямованою кристалізацією, зонною плавкою О.В. Галочкін, В.М. Годованюк, З.І. Захарук, М.Г.  Колісник, Г.І. Раренко, І.М. Раренко, М.М. Русковолошин //Нові технології,–№1 (27), (2010). – с. 10-15.
  1. О.В. Галочкін  Одержання однорідних кристалів ртутно-індієвого телуриду/О.В. Галочкін, С.Г. Дремлюженко, З.І. Захарук, В.М. Склярчук, В.З. Цалий, А.А. Ащеулов // Фізика і хімія твердого тіла.-№1, (2016), c. 129-134. DOI: 10.15330/pcss.17.1.129-133.
  2. А.А. Ащеулов  Радиационностойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки /А.А. Ащеулов, А.В. Галочкин, И.С. Романюк, С.Г. Дремлюженко.- ТКЭА.- № 2-3, (2016),  с. 3-7. DOI: 10.15222/TKEA2016.2-3.03
  3. Ascheulov A. A. Radiation resistance Schottky photodiodes/.Ascheulov A. A., Galochkin A. V., Danalakіy O.G., Romanyuk I.S., Dremlyuzhenko S.G.// Nauka i studia, Przemysl.- 23 (154), (2016), р.34-39.

 

Патенти

  1. Даналакий О. Г., Романюк І. С., Ащеулов А. А., Ковальчук М. Л., Галочкін О. В., Спинь У. Р. Термоелектричний термостатуючий пристрій для елементної бази обчислювальної техніки / Патент України на корисну модель №101635.- бюлетень №18 від 25.03.2015.
  2. Галочкін О.В., Дремлюженко С.Г., Захарук З.І., Колісник М.Г., Ащеулов А.А. Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6 / Патент України на корисну модель №105367.- бюлетень №5 від 10.03.2016.
  1. Ащеулов А. А., Галочкін О.В., Добровольський Ю.Г., Романюк І.І. Фотодіод Шотткі на основі In2Hg3Te6 / Патент України на корисну модель №111231.- бюлетень №21 від 10.11.2016.
  2. Прядко В.В., Ащеулов А.А., Галочкін О.В., Раренко Г.І., Романюк І.С. Фототранзистор / Патент України на корисну модель №111228.- бюлетень №21 від 10.11.2016.

Методичні рекомендації та навчальні посібники

  1. Операційні системи Частина I: навчальний посібник / укл. Галочкін О.В.– Чернівці, БДФЕУ, 2014.– 153 с.
  2. Кросс-платформне програмування: конспект лекцій / укл. Галочкін О.В.– Чернівці, БДФЕУ, 2015.– 105 с.