Інститут фізико-технічних та комп'ютерних наук Чернівецького Національного Університету імені Юрія Федьковича

Кафедра оптоелектроніки

Ключові публікації

Монографії

  1.  И.К. Верещагин. Электролюминесценция кристаллов. – М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1990.
  2.  И.К. Верещагин, Б.А. Ковалев, Л.А. Косяченко, С.М. Кокин. Электролюминесцентные источники света. Под. ред. И.К. Верещагина. – М.: Энергоатомиздат, 1990.
  3.  И.К. Верещагин, Л.А. Косяченко, С.М. Кокин. Введение в оптоэлектронику: Учеб. пособие для втузов. – М.: Высш. шк., 1991. – 191 с.
  4.  Л.А. Косяченко. Основи інтегральної та волоконної оптики: Навчальний посібник – Чернівці: Рута, 2008. – 348 с.
  5.  Leonid A. Kosyachenko (2011). Thin-Film Photovoltaics as a Mainstream of Solar Power Engineering, In: Solar Cells – Thin-Film Technologies, Edited by L.A. Kosyachenko ISBN: 978-953-307-570-9, InTech Open Ecces Publisher, 2011, pp. 1-38.
  6. L. Kosyachenko. Efficiency of Thin-Film CdS/CdTe Solar Cells. In: Solar Energy // Solar Energy, Book edited by Rodu D. Rugescu, INTECH, Croatia, February 2010, pp. 105-130.
  7.  P.M. Gorley, V.P. Makhniy, P.P. Horley, Yu. V. Vorobiev, I.Gonzales-Hernandez. Surface-Barrier Solar Sells Based on Monocrystalline Cadmiumt Telluride with the Modified Boudnary // Solar Energy, Book edited by Rodu D. Rugescu, INTECH, Croatia, February 2010, p.25-42.
  8. P.P. Horley, L.Licea Jimenez, S.A. Perez Garsia, Alvazer Quintana, Yu.V Vorobiev, R Ramirez Bon, V.P.Makhniy and Gonzalez Hernandez. Thin Film Solar Cells: modeling, Obtaining and Applications. INTECH. Aplication of Solar Energy. ‑ 2013. ‑ p.95-121.
  9. В.П Махній, М.Д. Раранський. Фізико-хімічні основи методів створення та аналізу точкових дефектів у напівпровідниках. Навчальний посібник. Чернівці "Рута",2003 , с. 135.
  10. В.П Махній, М.Д. Раранський. Точкові дефекти в алмазоподібних напівпровідниках. Навчальний посібник. Чернівці. "Рута" 2002, с. 112.
  11. В.П Махній. Нерівноважні процеси в напівпровідниках. Навчальний посібник. Чернівці "Рута". 2002. с. 80.
  12. В.П Махній. Принципи та методи модуляційної спектроскопії. Навчальний посібник. Чернівці "Рута". 2001. с. 101.

 

Статті в міжнародних журналах (2009-2013 рр.)

  1. V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, S.V. Khusnutdinov. Luminescence of zinc oxide layers synthesized on zinc selenide substrates by the isovalent substitution method. // Russian Phys. Journ., 2009, v. 52, N2, p. 216-217
  2. Махний В.П., Бойко Ю.Н., Скрипник Н.В. Механизмы прохождения прямого тока в фотодиодах Au-CdTe с модифицированной поверхностью. // ФТП, 2009, т.43, В.5, С.630-631.
  3. Savchuk A.I., Makhniy V.P., Fediv V.I., Kleto G.I., Savchuk S.A. Semimagnetic semiconductor oxides as materials for transparent electronics and spintronics. // Phys. Stat. Sol. A, V.206, N.9, P.2177-2181
  4. В.П. Махний, Ю.Н. Бойко, Е.В. Протопопов. Люминесценция широкозонных соединений элементов ІI-VI групп с примесью олова. Оптический журнал.79, 2,2012, ст.89-95
  5. Л.А. Косяченко, А.И. Савчук, Е.В. Грушко. Влияние толщины поглощающего слоя на эффективность CdS/CdTe солнечного элемента. ФТП. 43(8) 1060-1064 (2009).
  6. L. A. Kosyachenko, V. A. Gnatyuk, T. Aoki, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, O. L. Maslyanchuk. Super high voltage Schottky diode with low leakage current for X- and g-ray detector application. Appl. Phys. Lett. 94, 092109 (2009) (pp3).
  7. В.П. Махний, В.В. Косоловський, М.М. Слетов, Н.В. Скрипник, А.М. Слетов. Природа краевой люминесценции диффузионных слоев CdTe:Mg // ФТП, 2010, т.44, В.9, С.1203-1205
  8. A.I. Savcuk, V.P. Makhniy, V.I. Fediv, G.I. Kleto, S.A. Savchuk, A.Perrone, L. Cultrera. Effects of codoping in ZnO – based semimagne tic semiconductors thin films // Material Sceince and Engenering, 2010, V.8, P.1-4.
  9. V.P. Makhniy, O.V. Kinzerskaya, P.P. Horley. Optical Properties of ZnSe:V Crystals.// Telecom. And Radio Engineer. 2010, 69 (15), P.1401-1406.
  10. V. P. Makhniy, O.V. Kinzerskaya, V.S. Yl’yanitskiy. Electrophysical Properties of Zinc Selenid Diffusions Layers Doped with 3-d Elements from the Vapor Phase // Telecom and Radio Engineer. 2009, 68 (19), P. 1735-1739.
  11. L.A. Kosyachenko, E. Diequez, T. Aoki, C.P. Lambropoulos, V.A. Gnatyuk, M. Fiederle, S.V. Melnychuk, O.L. Maslyanchuk, O.F. Sklyarchuk, O.V. Sklyarchuk, E.V. Grushko. Special Features of Conductivity of Semi-Intrinsic CdTe and CdZnTe Single Cristals used in X- and γ-ray Detectors. Proc. SPIE. 7805 78051 (2010).
  12. В.П. Махний, В.В. Мельник, И.Г. Орлецкий. Инжекционный У.Ф. – фотодиод на основе селенида цинка. Приборы и техника эксперимента. 2011,  №.3, С.167
  13. В.П. Махний,  Н.В. Скрипник. Механизмы прохождения тока в контактах Au-CdTe с модифицированной поверхностью. ФТП, 2011, т.45, №.3, С.1-3.
  14. В.П. Махний, С.В. Хуснутдинов, R. Jakela. Механизм образования гетерослоев ZnO  на подложках ZnTe. Неорганическии материалы, 2011, т.47, №.7, С.831-833.
  15. В.П. Махний, В.В. Мельник, И.Г. Орлецкий. Детекторы ультрафиолетового излучения с внутренним усилением на основе гетероструктуры SnO2-ZnSe. Письма в ЖТФ. 2011, т.37, №.8, С.21-25.
  16. Л.А. Косяченко, Т. Аоки, О.Л. Маслянчук, С.В. Мельничук, В.М. Склярчук, О.В. Склярчук. Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe. ФТП. 44(6), 729-734 (2010).
  17. A. I. Ievtushenko, G. V. Lashkarev, V. I. Lazorenko, V. A. Karpyna, M. G. Dusheyko, V. M. Tkach, L. A. Kosyachenko, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, K. A. Avramenko, V. V. Strelchuk, and Zs. J. Horvath. Effect of nitrogen doping on photoresponsivity of ZnO films. Phys. Stat. Sol. A 207(7) 1746–1750 (2010).
  18. L.A. Kosyachenko, G.V. Lashkarev, A.I. Ievtushenko, V.I. Lazorenko, V.M. Sklyarchuk, O.F. Sklyarchuk. Detector with high internal photocurrent gain based on ZnO:N. Acta Physica Polonica A, 119(5), 681-682 (2011).
  19. L.A. Kosyachenko, S.V. Melnychuk, O.L. Maslyanchuk, V.M. Sklyarchuk, O.F. Sklyarchuk, M. Fiederle, C.P. Lambropoulos. Self-compensation limited conductivity in semi-insulating induim-doped Cd0.9Zn0.1Te crystals. J. Appl. Phys. 112(1) 013705 (2012) (8 pp).
  20. В.П. Махний, О.В. Кинзерская Определение энергии ионизации уровней ванадия в селениде цинке / // ФТП. – 2012. – Т.46, вып. 2. – С.150-151.
  21. В.П. Махний, И.И. Герман, Черных Е.И.  Влияние обработки на параметры поверхности монокристаллических подложек теллурида кадмия. / Поверность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2013 №6, ст.65-67.
  22. V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, A.M. Slyotov. Physical properties of CdSe heterolayers with  isovalent tellyrium impurity. Telecommunications and Radio Engineering, 2013, 7(8), p.741-744.
  23. S. Chusnutdinow, V.P. Makhniy, T. Wojtowicz and G. Karczewski. Electrical properties of p-ZnTe/n-CdTe photodiodes. Acta Physica Polonica A, 2012, N6, V.122, p. 1077-1079   
  24.  V. Khomyak, M.Slyotov, I. Shtepliuk, O. Slyotov and  V. Kosolovkiy. . Acta Physica Polonica  Effect of Se Isoelectronic Impurity on the  Lumivescence Features of the ZnO. A, 2012, N6, V.122, p. 1039-1041 
  25. V.V. Khomyak, M.M. Slyotov, I.I. Shtepliuk, G.V. Lashkarev, O.M. Slyotov, P.D. Marianchuk,  V.V. Kosolovskiy. Annealing effect  on the near-band edge emission of ZnO.  Journal of Physics and Chemistry of Solids, 74(2013), p. 291-297  
  26. Sklyarchuk V., Fochuk P., Zakharuk Z., Grill R., Kutny V., Rybka A., Nakonechny D., Zakharchenko A., Nykoniuk Ye., A. E. Bolotnikov, and R. B. James. Effect of side-surface passivation on the electrical properties of metal-Cd(Zn)Te-metal structures/ Proc. SPIE 8852 (2013), Hard X-Ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XV, 88521I – 8 pages 
  27. L.A. Kosyachenko, X. Mathew, V.Ya. Roshko, E.V. Grushko. Optical absorptivity and recombination losses: The limitations imposed by the thickness of absorber layer in CdS/CdTe solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells. 114, 179-185 (2013).
  28. L.A. Kosyachenko, T. Aoki, C.P. Lambropoulos, V.A. Gnatyuk, E.V. Grushko, V.M. Sklyarchuk, O.L. Maslyanchuk, O.F. Sklyarchuk, A. Koike. High Energy Resolution CdTe Schottky Diode γ-Ray Detectors.  IEEE Transactions on Nuclear Science, 60(4), 2845-2852 (2013)
  29. L.A. Kosyachenko. Possibilities to decrease the absorber thickness reducing optical and recombination losses in CdS/CdTe solar cells. Materials for Renewable and Sustainable Energy. 2:14 1-20 (2013).
  30. L. Kosyachenko, T. Aoki, C. Lambropoulos, V. Gnatyuk, V. Sklyarchuk, O. Maslyanchuk, E. Grushko, O. Sklyarchuk, A. Koike.  High Energy Resolution CdTe Schottky Diode γ -Ray Detectors // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2013.   60(4), Р.2845 - 2852.

 

Статті в вітчизняних журналах (2009-2013 р.р.)

  1. Makhniy V.P., Slyotov M.M., Skrypnyk N.V. Peculiar optical properties of modified surface of monocristalline cadmium telluride.// Ukr. J. Phys. Opt. 2009, V.10, №1 p.54-60.
  2. Makhniy V.P., Slyotov M.M., Tkachenko I.V., Slyotov A.M., Horley P.P., Vorobiev Yu.V., Gonzalez-Hernandez I. Diffusion layers of zinc selenide with predominant edge emission. // Ukr. J. Phys. Opt. 2009, V.10, №4 p.206-217.
  3. V. P. Makhniy, Yu. N. Boyko, N.V. Skrypnyk, M.M. Sliyotov, S.V. Khusnutdinov. Effect of  Oxidation the fhod of Cadmium and Zink Cholcoheide Substraters on Physical Properties of CdO and ZnO Heterolayers //Functional Material, 2009, V.16, N1, P.59-62.
  4. А.І. Євтушенко, Г.В.Лашкарьов, В.Й. Лазоренко, Л.А. Косяченко, В.М. Ткач, І.І. Штеплюк, Т.Ш. Османов. Ультрафіолетові діоди: вплив рівня легування азотом на фото чутливість плівок ZnO. Sensor Electronics and Microsystem Technologies. 1(7) 36-41 (2010).
  5. Л.А. Косяченко, І.М. Раренко, В.М. Склярчук, Н.С. Юрценюк, О.Л. Маслянчук, О.Ф. Склярчук, З.І. Захарук, Є.В. Грушко. Cd1-xMnxTe як матеріал для детекторів X- і γ-випромінювання. Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. 1(7) (3), 74-80 (2010).
  6. Махній В.П., Мельник В.В., Сльотов М.М., Ткаченко І.В. Оптичні властивості ізовалентно-заміщених шарів селеніду кадмію.Вісник Львівської Політехн.. Електроніка, №708, 2011, ст151-153
  7. Махній В.П., Кінзерська. Перспективи методу ізовалентного заміщення для синтезу шарів ZnO з магнітними домішками. Вісник Чернівецького національного  університету.Фізика. Електроніка,том.1 №2, 2011, ст101-103.
  8. Махній В.П. Особливості фізичних властивостей ізовалентно-заміщених шарів широкозонних II-VI сполук. RNAOPM-2012/ Materials for optoelectronics. Вісник Луцького університету. Ст.215-220.
  9. М.М.Сльотов, І.І. Герман О.М. Сльотов В.В. Косоловський. Властивості ZnSe та  CdTe легованих ізовалентною домішкою Са..   Sensor Electronics and Microsystem Technologies. 2012 T.3 №9. С.92-96.
  10. Л.А. Косяченко, Є.В. Грушко. Перспективи застосування тонко плівкового телуриду кадміію в сонячній енергетиці. УФЖ. Огляди. Т.7 №1, 2012, ст..3-13.
  11. V.P.Makhniy, M.M. Slyotov, I.V. Tkachenko, A.M. Slyotov . Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates. Semicondactor Physics, Quantum Electronics  optoelectronics, 2012 V. 15 N 4. P.338-339.
  12. О.В. Кінзерська, В.П. Махній, В.Д. Погребенник, А.В. Пашук. Вплив надстехіометричних компонент на електричні та люмінесцентні властивості шарів ZnSe:Mn./ Вісник Національного університету "Львівська політехніка", Електроніка. – 2013. - № 764. – С.95-98.
  13. Сльотов М.М. Герман І.І., Сльотов О.М. Вплив ізовалентної домішки Са на властивості ІІ-VI сполук. Вісник Національного університету "Львівська політехніка", Електроніка. – 2013. - № 764. – С.92-95.
  14. Герман І.І. Махній В.П. Черних О.І. Механізми формування  оберненого струму в фото чутливих структурах Au/CdTe:O. Вісник Національного університету "Львівська політехніка", Електроніка. – 2013. - № 764. – С.88-92