Інститут фізико-технічних та комп'ютерних наук Чернівецького Національного Університету імені Юрія Федьковича

Кафедра термоелектрики та медичної фізики

Катеринчук Валерій Миколайович

Посада - доцент
Вчений ступінь – доктор фізико-математичних наук
Вчене звання – старший науковий співробітник

Науково-організаційна діяльність:

  • Дослідження напівпровідників групи АIIIBVI та cтворення гетеропереходів на їх основі.

Тематика наукових досліджень:

  • Фотоелектричні процеси в гетеропереходах з тунельними та наноструктурованими шарами.


Назва курсів навчальних дисциплін:

  • Техніка фізичного експерименту.
  • Фізико-хімічні основи технології термоелектричних матеріалів.


E-mail: valkater@mail.ru

Публікації в наукових журналах (за останні 10 років):
1.    Katerynchuk V.M., Kovalyuk M. Z., Tovarnitsky M. V. Photoresponce spectra of intrinsic oxide - p-InSe heterojunctions // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials Vol. 5, No. 4, December 2003, p. 853 – 857.
2.    Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Savchuk A.I., and Sydor O.M. Intrinsic conductive oxide–p-InSe solar cells // Mater. Sci. Eng. B, 2004, Vol.109, № 1-3.  p. 252-255.
3.    Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д. Получение гетероструктур оксид-p-InSe с улучшенными фотоэлектрическими характеристиками // Физ. и техн. полупров., 2004, т.38, № 4, с.417-421.
4.    Катеринчук В.М., Ковалюк З.Д., Сидор О.М. Гетеропереходи на основі власний оксид – p-InSe // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, Електроніка. – 2004. В.201. – С.66-68.
5.    Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н. Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения // Техн. и констр. в электрон. аппаратуре. - 2004. - № 3. - С. 7-9.
6.    Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Sydor O.M. Photoelectrical properties of heterojunctions connected with van-der-Waals forces // J.Optoelect. Advanced Mater. - 2005. - Vol. 7, № 2. - P. 903-906.
7.    Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Politanska O.A., Sydor O.M., Khomyak V. Effect of gamma radiation on the properties of InSe photodiodes  // Techn. Phys. Lett. - 2005. - Vol. 31, № 5. - P. 359-360.
8.    Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Сидор О.H. Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры “окисел – InSe – окисел” // ТКЭА. – 2005. – № 1. – С.38-40.
9.    Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Сидор О.H. Влияние γ-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур // ТКЭА. – 2005. – № 5. – С. 47-48.
10.    Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Сидор О.Н., Хомяк В.В. Влияние γ-облучения на свойства InSe-фотодиодов // Письма в ЖТФ, 2005, 31, № 9, с.1-5.
11.    Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Mintyanskii I.V., Savchuk A.I., Sydor O.M. γ-Radiation influence on the photoelectrical properties of oxide-p-InSe heterostructure // Mater. Sci. Engin. B. - 2005. - Vol. 118, № 1-3. - P. 147-149.
12.    Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Раранский Н.Д. Характеристики гетеропереходов окисел-p-InSe в условиях рентгеновского облучения // Физ. и техн. полупров., 2006, т.40,  № 8, с.940-943.
13.    Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Politanska O.A., Sydor O.M., Savchuk A.I., Raransky M.D., Palamaryk M.Yu. Change of built-in-potential in heterostructures induced by X-ray irradiation // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. -2006. - Vol. 246, № 1. - P. 118-121.
14.    Katerynchuk V.M., Kovalyuk M.Z., Tovarnitskii M.V. Photoemission spectra of indium selenide // Semicond. Phys., Quantum Electr. Optoelectr. - 2006. - Vol. 9, № 4. - P. 36-39.
15.    Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS2-xSex-InSe (0x1) // Техн. и конст. в электр. аппаратуре, 2006. - № 2 (62). - С. 41-42.
16.    Katerynchuk V.M., Kovalyuk Z.D. Radiative recombination in InSe layered crystal // J. of Advanced Materials, 2007, Vol. 9, No. 5, p. 1310-1313.
17.    Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З., Литвин О.С. Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS2 // Техн. и конст. в электр. аппаратуре, 2007, № 3. - С. 41-42.
18.    Ковалюк З.Д.,  Катеринчук В.Н., Нетяга В.В., Заслонкин А.В. Гетеропереход на основе кристалла FeIn2Se4, полученного методом Бриджмена // Техн. и констр. в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 5(71). - С. 43-45.
19.    Ковалюк З.Д., Литовченко П.Г., Политанская (Cидор) О.А., Сидор О.Н., Катеринчук В.Н., Ластовецкий В.Ф., Литовченко О.П., Дубовой В.К., Поливцев Л.А. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур ІТО – GaSe // ФТП. – 2007. – Т.41, № 5. – С. 570-574.
20.    Ковалюк З. Д., Сидор О. Н., Катеринчук В.Н., Нетяга В. В. Исследование изотипных фоточувствительных гетероструктур (собственный окисел) – n-InSe, полученных длительным термическим окислением // Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т. 41, в. 9. – С. 1074-1077.
21.    Бахтинов А.П., Ковалюк З.Д., Сидор О.Н., Катеринчук В.Н., Литвин О.С. Формирование нанообразований на поверхности слоистого полупроводника InSe в процессе термического окисления // Физ. тв. тела. - 2007. - Т. 49, № 8. - С. 1497-1503.
22.    Drapak S.I., Katerynchuk V.M., Kovalyuk Z.D. Electrical, luminescent and photovoltaic properties of the Indium oxide – GaSe heterojunctions with a thin layer of gallium oxide // Thim. Solid films. – 2007. – V. 515. – P. 6356 – 6359.
23.    Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M.,  Savchuk A.I., Lytvyn O.S. Surface topology of GaSe oxidized crystals // Superlatt. Microstruct. - 2008. - Vol. 44. - P. 416-419.
24.    Kovalyuk Z.D., Zaslonkin A.V., Katerynchuk V.M., Netyaga V.V. Konstsntinovich A.V. FeIn2Se4 layered magnetic Seviconductors and heteroguctions on its GaSe // Journal of Optoelecntonics adv. Materials . – 2008. - V. 10, No 2. – P. 277 – 279.
25.    Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. Пленки вырожденных обственных окислов полупроводниковых кристаллов InSe и In4Se3 // Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, вып. 9, c.1212-1215.
26.    Katerynchuk V.N., Kovalyuk M.Z. Films of Degenerate Intrinsic Oxides of InSe and In4Se3 Semiconductor Crystals // Semiconductors, 2010, Vol. 44, No. 9, pp. 1176–1179.
27.    Иванов В.И., Катеринчук В.Н., Каминский В.М., Ковалюк З.Д., Литвин О.С., Минтянский И.В. Структура поверхности неокисленных и окисленных кристаллов Bi2Se3 // Неорганические материалы, 2010, т. 46 , № 12 , c 1-3.
28.    Ivanov V.I., Katerynchuk V.N., Kaminskii V.M., Kovalyuk Z.D., Lytvyn O.S., Mintyanskii I.V. Surface structure of unoxidized and oxidized Bi2Se3 crystals // Inorganic Materials, 2010, Vol. 46, No. 12, pp. 1296–1298.
29.    Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Хомяк В.В.  Электрические и топологические свойства пленок окислов, термически выращенных на подложках InSe // Техн. и конст. в электр. аппаратуре, 2010, №  5-6, C. 51-53.
30.    Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д. Топология и особенности электросопротивления оксидной пленки InSe // Неорганические материалы, 2011, т. 47, № 6, c. 1-4.
31.    Katerynchuk V.N., Kovalyuk Z.D. Surface Morpholohy and Electrical Resistance of the Oxide Film on InSe // Inorganic Materials. – 2011. – V. 47, № 7. – Р. 749 – 752.
32.    Katerynchuk V.N., Kovalyuk Z.D. Sheet resistance and  surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals // Sem. Phys., Quant. Electr., and Optoelectr., 2011, Vol. 14, № 1. P.106-108.
33.    Кудринський З.Р., Ковалюк З.Д.,  Катеринчук В.M. Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі // Ж. нано- та електронної фізики, 2012, т. 4, № 2, с. 02042-4.
34.    Katerynchuk V.M., Kovalyuk Z.D.,  Savchuk A.I. Diffraction Properties of the Nanostructured Surface  // Journal of Nanoscience and Nanotechnology (USA), 2012, Vol. 12, 1–4, P.1-4.
35.    Katerynchuk V.M., Kudrynskyi Z.R. Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with the nanostructured oxide // Sem. Phys., Quant. Electr., and Optoelectr., 2012, Vol. 15, № 3. P.214-217.
36.    Катеринчук В.Н., Кудринський З.Р. Размерный оптический эффект в наноструктурированных пленках In2O3 // Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 3, с. 320-323.

Тези доповідей на конференціях:
1.    Katerynchuk V.M., Kovalyuk M. Z., Savchuk A.I., Sydor O.M. Intrinsic conductive oxide – p-InSe solar cells / Abstracts of the European Material Research Society, Spring Meeting 2003, E-MRS 2003, Symposium I. – Strasbourg, France, June 10 - 13, 2003. - Р. I25.
2.    Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Mintyanskii I.V., Sydor O.M., Savchuk A.I. Gamma radiation influence on the photoelectrical properties of oxide – p-InSe heterostructure /  Abst. of the European Mater. Res. Soc. Spring Meeting 2004 E-MRS 2004, Symposium D. – Strasbourg, France, May 24 - 28, 2004. - Р. D13.
3.    Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Sydor O.M. Photoelectrical properties of heterojunctions connected with Van-der-Waals forces / Abstracts of 7th Intern. Conf. on Physics of Advanced Materials ICPAM-7. – Iasi, Romania, June 10 – 12, 2004. – P. 185.
4.    Катеринчук В.М., Сидор О.М. Дослідження фоточутливих гетероструктур оксид/n-InSe, отриманих методом термічного окислення / Тезиси ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників УНКФН-2, – Чернівці-Вижниця, 20 – 24 вересня, 2004. – C.102.
5.    Ковалюк З.Д., Катеринчук В.М., Сидор О.М. Перспективи створення сонячних елементів на основі шаруватого InSe / Тезиси ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників УНКФН-2, – Чернівці-Вижниця, 20 – 24 вересня, 2004. – C.30.
6.    Ковалюк З.Д., Катеринчук В.М., Сидор О.М. Динаміка структурного переходу в плівках власного оксиду шаруватих кристалів InSe /  Тезиси X Міжнародної конференції з фізики і технології тонких плівок МКФТТП-X, – Івано-Франківськ, 16 – 21 травня, 2005. – С.323-324.
7.    Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Политанская О.А., Сидор О.Н. ІnSe изотипный фотогетеротранзистор / Международная конференция “Современное материаловедение: Достижения и проблемы”, – Киев, 26 – 30 сентября, 2005. – С.451-452.
8.    Ковалюк З.Д., Катеринчук В.М., Сидор О.М. Періодична структура квантових точок гетероструктр власний оксид – шаруватий кристал InSe / Тези доповідей Всеукраїнського з’їзду “Фізика в Україні”, – Одеса, 3 – 6 жовтня, 2005. – С.159.
9.    Katerynchuk V.M., Kovalyuk M.Z., Tovarnitskii M.V. Radiative recombination in InSe layered crystal // Romanian conf. on advanced materials, Sept. 11-14, 2006, Bucharest-Magurele, Romania
10.    Катеринчук В.М., Ковалюк З.Д. Екситонна фоточутливість гетеро-структур на основі GaSe і InSe // III наук. конф. по фізиці напівпровідників (USCPS-3), 17-22 червня 2007 р., Одеса, Україна.
11.    Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Savchuk A.I., Lytvyn O.S. Surface topology of GaSe oxidized crystals // E-MRS-2007 Spring Meeting, May 28-June 5-8, 2007, Strasbourg (France), Symposium K.
12.    Ivanov V.I.,  Kaminskyj V.M., Katerynchuk V.M., Kovalyuk Z.D., Lytvyn O.S., Mintyanskyj I.V., Savchuk A.I. Phase composition and surface topology of Bi2Se3 unoxidized and oxidized crystals / E-MRS-2009 Spring Meeting, May 28-June 8-12, 2009, Strasbourg (France), Symposium E: Metal Oxides Nanostructures: Synthesis Properties and Applications.
13.    Katerynchuk V.M., Kovalyuk Z.D., Savchuk A.I.  Sheet resistance and  surface topology time dynamics of InSe oxidized crystals // E-MRS-2009 Spring Meeting, May 28- June 8-12, 2009, Strasbourg (France), Symposium E: Metal Oxides Nanostructures: Synthesis Properties and Applications.
14.    Katerynchuk V.M., Kovalyuk Z.D., Savchuk A.I. The degenerate behaviour of intrinsic oxide film of InSe and In4Se3 crystals // E-MRS-2009 Spring Meeting, May 28- June 8-12, 2009, Strasbourg (France),  Symposium F: Advances in Transparent Electronics: From Materials to Devices.
15.    Katerynchuk V.M., Kovalyuk Z.D., Savchuk A.I. Formation of intrinsic oxide and interface with InSe layered crystal / E-MRS-2010 Spring Meeting, June 8-12, 2010, Strasbourg (France), Symposium E: Frontiers of multifunctional oxides.
16.    Katerynchuk V.M., Kovalyuk Z.D., Savchuk A.I. Diffraction properties of the nanostructured surface / E-MRS-2011 Spring Meeting, June 8-12, 2011, Nice (France), Symposium C: Size-dependent properties of nanomaterials.
17.    Katerynchuk V.M., Kudrynskyi Z.R. Properties of In2O3-InSe heterostructures with nanostructured oxide // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 16-21 квітня 2012 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2012. - C. 62.

Патенти:
1.    Ковалюк З.Д., Катеринчук В.М., Заслонкін А.В., Товарницький М.В., Дуплавий В.Й. Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі С, в шаруватих кристалах InSe і GaSe / Патент на винахід № 101001; зареєстровано в Державному реєстрі патентів України на винаходи 25.02.2013.