Довганюк Володимир Васильович

Це зображення має порожній атрибут alt; ім'я файлу Dovganyk.jpgПосада: завідувач відділу, асистент кафедри інформаційних технологій та комп’ютерної фізики (2020).

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук (2006).

E-mail: v.dovganyuk@chnu.edu.ua

Дисципліни, що викладає:

  1. Структурний аналіз та основи динамічної теорії розсіяння Х-хвиль
  2. Інформаційно-комунікаційні технології

Наукові інтереси: високороздільна Х-променева дифрактометрія структурних особливостей монокристалічних матеріалів та гетероструктур,

Профілі в науковометричних базах:

Scopus  https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=24281015900

Researchgate  https://www.researchgate.net/profile/Volodymyr-Dovhaniuk

Google Scholar https://scholar.google.com/citations?user=YDKdy1IAAAAJ&hl=ru

Основні публікації за останні 5 років:
  1. Defect structure of high-resistivity CdTe:Cl crystals according to the data of high-resolution x-ray diffractometry // FodchukA. KuzminI. HutsuliakM. SolodkyiV. DovganyukO. MaslyanchukYu. RomanR. ZaplitnyyO. GudymenkoV. KladkoV. MоlоdkinV. Lizunov Proceedings Volume 11369, Fourteenth International Conference on Correlation Optics;113691H  (2020)
  2. Defect and magnetic structure of Y2. 93La0. 07Fe5O12/Gd3Ga5O12 epitaxial systems// I Fodchuk, I Hutsuliak, V Dovganyuk, O Sumariuk, O Gudymenko, … Fourteenth International Conference on Correlation Optics 11369, 113691G
  3. Defect structure of high-resistivity CdTe: Cl crystals according to the data of high-resolution x-ray diffractometry //I Fodchuk, A Kuzmin, I Hutsuliak, M Solodkyi, V Dovganyuk, … Fourteenth International Conference on Correlation Optics 11369, 113691H
  4. Magnetic and structural changes in the near-surface epitaxial Y2.95La0.05Fe5O12 films after high-dose ion implantation //IM Fodchuk, II Gutsuliak, VV Dovganiuk, AO Kotsyubynskiy, U Pietsch, … Applied Optics 55 (12), B144-B149
  5. Залежність магнітної доменної структури гранатових сполук від структурних параметрів //ІМ Фодчук, ВВ Довганюк, ІІ Гуцуляк, АО Коцюбинський, ПМ Литвин, … Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка, 39-45
  6. X-Ray Diffractometry of Lanthanum-Doped Iron-Yttrium Garnet Structures after Ion Implantation //IM Fodchuk, VV Dovganiuk, II Gutsuliak, IP Yaremiy, AY Bonchyk, … Metallofizika i Noveishie Tekhnologii 35 (9), 1209-1222
  7. Combined multiparametric X-ray diffraction diagnostics of microdefects in silicon crystals after irradiation by high-energy electrons //EN Kislovskii, VB Molodkin, SI Olikhovskii, EG Len, BV Sheludchenko, … Journal of Surface Investigation. X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques …
  8. Комбинированная многопараметрическая рентгенодифракционная диагностика микродефектов в кристаллах кремния после облучения высокоэнергетическими электронами //ЕН Кисловский, ВБ Молодкин, СИ Олиховский, ЕГ Лень, … Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 25-25
  9. of Surface Investigation. X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 7 //EN Kislovskii, VB Molodkin, SI Olikhovskii, EG Len, BV Sheludchenko, …
  10. Рентгеновская дифрактометрия структуры легированных лантаном железо-иттриевых гранатов после ионной имплантации //ИМ Фодчук, ВВ Довганюк, ИИ Гуцуляк, ИП Яремий, АА Бончик, … Металлофизика и новейшие технологии, 1209-1222
  11. X‐ray diffraction characterization of microdefects in silicon crystals after high‐energy electron irradiation //VB Molodkin, SI Olikhovskii, EG Len, BV Sheludchenko, SV Lizunova, … physica status solidi (a) 208 (11), 2552-2557
  12. X-Ray Diffractometry of Transformations in Microdefect Structure of Silicon Crystals after High-Energy Electron Irradiation //IM Fodchuk, TP Vladimirova, VV Dovganyuk, OV Reshetnyk, VP Klad’ko, … METALLOFIZIKA I NOVEISHIE TEKHNOLOGII 32 (9), 1213-1229
  13. Transformations in Microdefect Structure of Cz-Si Single Crystals after Irradiation with High-Energy Electrons According to the Data of X-Ray Diffractometry //VV Dovganyuk, VB Molodkin, VP Klad’ko, EM Kyslovskyi, TV Lytvynchuk, … METALLOFIZIKA I NOVEISHIE TEKHNOLOGII 32 (8), 1049-1057
  14. Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry //ІМ Fodchuk, VV Dovganyuk, ТV Litvinchuk, VP Kladko, МV Slobodian, … Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
  15. Interactions of radiation and particles: X-Ray diffractometry of transformations in microdefect structure of silicon crystals after high-energy electron irradiation //IM Fodchuk, TP Vladimirova, VV Dovganyuk, OV Reshetnyk, VP Klad’Ko, … Металлофизикаиновейшиетехнологии 32 (9), 1213-1229
  16. Defect structure changes in the single Si-crystals after irradiation by high-energy electrons and long natural aging by high-resolution three-crystal X-ray diffractometry //VV Dovganyuk, TV Lytvynchuk, VV Slobodyan, MI Fodchuk Eighth International Conference on Correlation Optics 7008, 70081B
  17. Вплив опромінення високоенергетичними електронами на дефектну структуру монокристалів Cz-Si згідно високороздільної трикристальної Х-променевої дифрактометрії //ІМФодчук, ВВДовганюк, ВПКладько, МВСлободян, ТВЛитвинчук, … НауковийвісникЧернівецькогоуніверситету. Фізика, електроніка, 40-44
  18. Three-crystal diffractometry of silicon crystals irradiated by high-energy electrons; Trekhkristal’naya difraktometriya kristallov kremniya, obluchennykh … //VV Dovganyuk, TV Litvinchuk, IM Fodchuk
  19. Features of changes of characteristics of microdefects in Cz-Si monocrystals after an irradiation by high-energy electrons according to curves of diffraction reflection of X-rays //VV Dovganyuk, IM Fodchuk, OG Gymchynsky, AV Oliynych-Lysyuk, … METALLOFIZIKA I NOVEISHIE TEKHNOLOGII 28 (10), 1291-1307
  20. Determination of dominant type of defects in Cz-Si single crystals after irradiation with high-energy electrons. //VV Dovganyuk, OG Gimchinsky, AV Oleinych-Lysyuk, AI Nizkova Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 9 (2)
  21. Use of acoustic waves in x-ray topography of silicon crystals //SN Novikov, DG Fedortsov, VV Dovganyuk Sixth International Conference on Correlation Optics 5477, 222-228