Солован Михайло Миколайович

Посада: доцент
заступник завідувача кафедри з наукової роботи
Вчений ступінь:  доктор фізико-математичних наук
Вчене звання: доцент

Email: m.solovan@chnu.edu.ua
CV_Solovan

Тематика наукових досліджень:

Tонкі плівки графіту, оксидів та нітридів металів: технологія одержання, явища переносу, кінетичні, оптичні та фотоелектричні властивості, створення на їх основі приладів електроніки, фотовольтаїки, сонячної енергетики.

Дисципліни, що викладаються:

Наукові профілі:
Scopus
Google scholar
Web of Science ResearcherID
ORCID

Сертифікати, грамоти, нагороди

Стажування та підвищення кваліфікації:
Пройшов наукове стажування в Університеті штату Массачусетс Лоуелл (Лоуелл, США) з 01.07.2015 по 31.06.2015 року (в обсязі 8 кредитів ЄКТС), звіт про стажування розглянуто та затверджено на засіданні кафедри електроніки і енергетики ЧНУ, протокол № 2 від 23 вересня 2015 р.
Пройшов наукове стажування в Туринському політехнічному університеті (Турин, Італія) в рамках проекту EUROEAST за программою Еразмус Мундус з 01.11.2015 по 30.04.2016 року (в обсязі 24 кредитів ЄКТС), звіт про стажування розглянуто та затверджено на засіданні кафедри електроніки і енергетики ЧНУ, протокол № 10 від 04 травня 2016 р.

Додаткова інформація:
Народився 15 листопада 1986 року в с. Залуччя Горішнє, Снятинського р-ну, Івано-Франківської області.
Освіта:
В 2002 році закінчив Горішньозалучанську ЗОШ I-II ст., а в 2004 році Долішньозалучанську ЗОШ I-III ст.
З 2005 по 2008 роки навчався в Чернівецькому Індустріальному коледжі.
З 2008 по 2011 роки навчався на кафедрі електроніки і енергетики фізичного факультету Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича.
В 2011 році закінчив Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича і отримав повну вищу освіту за спеціальністю “Фізична та біомедична електроніка” та здобув кваліфікацію магістра з електроніки.
З 2011 по 2014 роки навчався в аспірантурі на кафедрі електроніки і енергетики Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича за спеціальністю 05.27.01 – “Твердотільна електроніка”.
В 2014 році захистив кандидатську дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук на тему “Розробка гетеропереходів на основі тонких плівок нітриду титану для електроніки та фотовольтаїки” за спеціальністю 05.27.01 – “Твердотільна електроніка” (науковий керівник доктор фіз.-мат. наук, професор Мар’янчук П.Д.).
З 2017 по 2019 роки проходив підготовку в докторантурі на кафедрі електроніки і енергетики Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича. В 2020 році захистив докторську дисертацію на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук на тему «Електронні явища в планарних та наноструктурованих поверхнево-бар’єрних структурах на основі кремнію, кремнієвмісних та халькогенідних сполук» за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків (науковий консультант доктор фіз.-мат. наук, професор Мар’янчук П.Д.).
Досвід роботи:
З 2020 року працює на посаді доцента кафедри електроніки і енергетики.
З 2015 року по 2020 рік працював на посаді асистента кафедри електроніки і енергетики.
З 16.10.2015 р. по 15.10.2018 р. був учасником міжнародного проекту “Мережа сенсорів для локалізації та ідентифікації джерел радіації” програми НАТО (No. SfP-984705).
Науковий керівник держбюджетної теми 13-806 “Гетеропереходи на основі тонких плівок графіту та графену для застосування в електроніці, сонячній енергетиці та детекторах частинок високої енергії” 0120U101250.

Основні публікації:
Опублікував понад 100 наукових та навчально-методичних праць.

МОНОГРАФІЇ

  1. П.Д. Мар’янчук, А.І. Мостовий, М.М. Солован, В.В. Брус, Гетероструктури на основі тонких плівок оксидів металів з домішками 3d-елементів (Монографія), Чернівці, 2018. – 152 с.
  2. Мар’янчук П.Д., Солован М.М., Брус В.В., Тонкі плівки нітриду титану та гетеропереходи на їх основі: монографія, Чернівці: Чернівецький нац. ун-т імені Юрія Федьковича, 2019. 152 с.

ПОСІБНИКИ

  1. Мар’янчук П.Д., Солован М.М. Прилади твердотільної електроніки: навчальний посібник. Чернівці: Чернівецький нац. ун-т імені Юрія Федьковича, 2019. 220 с.
  2. Мостовий А. І., Солован М.М. Тонкоплівкова електроніка: метод. реком. до лаб. робіт. Чернівці: Чернівецький нац. ун-т імені Юрія Федьковича, 2019. 64 с.

ПАТЕНТИ

  1. Солован М.М.; Брус В.В.; Мар’янчук П.Д.; Кафанов А.М. ГЕТЕРОФОТОДІОД, u201214460, 10.06.2013, бюл. № 11
  2. Солован М.М.; Майструк Е.В.; Брус В.В.; Мар’янчук П.Д.; Кафанов Кафанов А.М. ФОТОДІОД НА ОСНОВІ p-Hg3In2Te6, u201402684,         25.07.2014, бюл. № 14
  3. Солован М.М.; Брус В.В.; Мар’янчук П.Д.; Ілащук М. І.; Ульяницький К. С. ФОТОПРИЙМАЧ n-TiN/p-CdTe, u201402685, 25.07.2014, бюл. № 14
  4. Солован М.М.; Майструк Е.В.; Мостовий А. І.; Мар’янчук П.Д.; Брус В.В.;; Ковалюк Т. Т.; Козярський Д. П.; Козярський І. П. СПОСІБ ОДЕРЖАННЯ ТОНКИХ ПЛІВОК Cu2ZnSnS4 (CZTS), u201505389,           12.01.2016, бюл. № 1
  5. Солован М.М.; Мостовий А. І.; Брус В.В.; Мар’янчук П.Д.; Ульяницький К. С. ФОТОДІОД НА ОСНОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ MoOх/n-CdTe, u201610080, 10.05.2017, бюл. № 9
  6. Мостовий А. І.; Солован М.М.; Майструк Е.В.; Ковалюк Т. Т.; Мар’янчук П.Д. СПОСІБ ОДЕРЖАННЯ ТОНКОЇ ПЛІВКИ, u201610933, 10.05.2017, бюл. № 9
  7. Пархоменко Г. П.; Солован М.М.; Мар’янчук П.Д. ФОТОДІОД НА ОСНОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ p-NiO/n-CdTe, u201711289, 25.04.2018, бюл. № 8
  8. Солован М.М.; Мостовий А. І.; Брус В.В.; Мар’янчук П.Д. СПОСІБ ВИЗНАЧЕННЯ АКТИВНОЇ ПЛОЩІ НАНОСТРУКТУРОВАНИХ ПОВЕРХНЕВО-БАР’ЄРНИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР, u201811253, 10.05.2019, бюл. № 9
  9. Майструк Е.В.; Солован М.М.; Майструк Едуард Васильович (UA); Солован Михайло Миколайович (UA ); Козярський І. П.; Козярський Д. П.; Мар’янчук П.Д. ФОТОДІОД НА ОСНОВІ p-Cd3In2Te6, u202000028, 27.07.2020, бюл. № 14
  10. Солован М.М.; Пархоменко Г. П.; Мар’янчук П. Д. СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ ДЕТЕКТОРА УЛЬТРАФІОЛЕТОВОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ ГРАФІТ/n-SiC,  u202005998 (22), 31.03.2021, бюл. № 13

СТАТТІ

  1. V V Brus, M I Ilashchuk, I G Orletskyi, M M Solovan, G P Parkhomenko, I S Babichuk, N Schopp, G O Andrushchak, A I Mostovyi and P D Maryanchuk. Coupling between structural properties and charge transport in nano-crystalline and amorphous graphitic carbon films, deposited by electron-beam evaporation. Nanotechnology 31 (2020) 505706 (IF = 3.551)
  2. V.V. Brus, O.L. Maslyanchuk, M.M. Solovan, P.D. Maryanchuk, I. Fodchuk, V.A. Gnatyuk, T. Aoki. Graphene/semi-insulating single crystal CdTe schottky-type heterojunction X- and γ-ray radiation detectors. Scientific Reports 9(1) (2019) 1065 (IF = 4.122) 
  3. I.G. Orletskyi, M.I. Ilashchuk, M.M. Solovan, P.D. Maryanchuk, E.V. Maistruk,  G.O.  Andrushchak. Effect of fabrication conditions on charge transport and photo-response of n-ITO/p-Cd1−xZnxTe heterojunctions. Materials Research Express. 6 (2019) 086219. (IF = 1.449)
  4. M.N. Solovan, G.O. Andrushchak, A.I. Mostovyi, T.T. Kovaliuk, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Graphite/p-SiC schottky diodes prepared by transferring drawn graphite films onto SiC. Semiconductors, 52(2), (2018) 236-241 (IF = 0.691)
  5. O. Maslyanchuk, M. Solovan, V. Brus, P. Maryanchuk, E. Maistruk, I. Fodchuk, V. Gnatyuk, T. Aoki, C. Lambropoulos, C. Potiriadis. Performance comparison of X-and γ-ray CdTe detectors with MoOx, TiOx and TiN schottky contacts.        IEEE Transactions on Nuclear Science, 65(7), (2018) 1365-1370. (IF = 1.44) 
  6. O.L. Maslyanchuk, M.M. Solovan, V.V. Brus, V.V. Kulchynsky, P.D. Maryanchuk, I.M. Fodchuk, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, C. Potiriadis, Y. Kaissas. Capabilities of CdTe-based detectors with MoOx contacts for detection of X- and γ-radiation. IEEE Transactions on Nuclear Science; 64(5) (2017) 1168-72. (IF = 1.44) 
  7. H. Parkhomenko, M. Solovan, V. Brus, E. Maystruk, P. Maryanchuk Structural, electrical, and photoelectric properties of p-NiO/n-CdTe heterojunctions. Optical Engineering, 57(1) (2018) 017116. (IF = 1.07)
  8. O. Maslyanchuk, V. Kulchynsky, M. Solovan, V. Gnatyuk, C. Potiriadis, I. Kaissas, V. Brus. Diodes based on semi-insulating CdTe crystals with Mo/MoOx contacts for X- and γ-ray detectors. Phys Status Solidi C, 14(3-4) (2017) 1600232. (IF = 0.82)
  9. M.M. Solovan, V.V. Brus, A.I. Mostovyi, P.D. Maryanchuk, I.G. Orletskyi, T.T. Kovaliuk, S.L. Abashin, Silicon nanowire array architecture for heterojunction electronics, Semiconductors 51(4) (2017) 542-548. (IF = 0.691).
  10. М.М. Solovan, A.I. Mostovoi, S.V. Bilichuk, F. Pinna, T.T. Kovalyuk, V.V. Brus, E.V. Maistruk, I.G. Orletskii, P.D. Mar’yanchuk, Structural and optical properties of Cu2ZnSn (S, Se)4 films obtained by magnetron sputtering of a Cu2ZnSn alloy target, Physics of the Solid State 59(8) (2017) 1643-1647. (IF = 0.95)
  11. I.G. Orletskyi, M.M. Solovan, V.V. Brus, F. Pinna, G. Cicero, P.D. Maryanchuk, E.V. Maistruk, M.I. Ilashchuk, T.I. Boichuk, E. Tresso. Structural, optical and electrical properties of Cu2ZnSnS4 films prepared from a non-toxic DMSO-based sol-gel and synthesized in low vacuum. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 100 (2017) 154–160 (IF = 2.048)
  12. M.M. Solovan, N.M. Gavaleshko, V.V. Brus, A.I. Mostovyi, P.D. Maryanchuk, E. Tresso,. Fabrication and investigation of photosensitive MoOx/n-CdTe heterojunctions. Semiconductor Science and Technology, 31 (2016) art. no. 105006 (IF = 2.207)
  13. M.N Solovan, A.I Mostovyi, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk. Electrical and photoelectric properties of n-TiN/p-Hg3In2Te6 heterostructures. Semiconductors, 50 (2016) 1020–1024. (IF = 0.691)
  14. V.V. Brus, I.S. Babichuk, I.G. Orletskyi, P.D. Maryanchuk, V.O. Yukhymchuk, V.M. Dzhagan, I.B. Yanchuk, M.M. Solovan, I.V.Babichuk Cu-Sn-S ternary compound thin films prepared by the low-cost  spray-pyrolysis technique. Applied Optics, 55 (2016) B158-B162 (IF = 1.598)
  15. M.M. Solovan, V.V. Brus, A.I. Mostovyi, P.D. Maryanchuk, E. Tresso, N.M. Gavaleshko. Molybdenum oxide thin films in CdTe-based electronic and optoelectronic devices. Physica Status Solidi (RRL), 10 (2016) 346–349 (IF = 3.72)
  16. Solovan M.N., Brus V.V., Maryanchuk P.D., Ilashchuk M.I.,   Kovalyuk  Z. D. Temperature dependent electrical properties and barrier parameters of photosensitive heterojunctions n-TіN/p-Cd1−xZnxTe, Semiconductor Science and Technology 30 (2015) 075006. (IF = 2.207)
  17. M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, J. Rappich, N. Nickel, S.L. Abashin, Fabrication and characterization of anisotype heterojunctions n-TiN/p-CdTe, Semicond. Sci. Technol. 29 (2014) 015007. (IF = 2.207)
  18. M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Electrical properties of anisotype heterojunctions n-CdO/p-Si, Semiconductors 48 (2014) 899-904. (IF = 0.691)
  19. M.M. Solovan, V.V. Brus, E.V. Maystruk, P.D. Maryanchuk, Electrical and optical properties of TiN thin films, Inorganic Materials 50 (2014) 40-45. (IF = 0.771)
  20. M.N. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Isotype surface-barrier n-TiN/n-Si heterojunction, Semiconductors 48 (2014) 232-236. (IF = 0.691)
  21. M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Features of the recombination losses of photocurrent in anisotype heterojunctions n-TiN/p-Si, Semiconductors 48 (2014) 1504-1506 (IF = 0.705)
  22. V.V. Brus, M.M Solovan, P.D. Maryanchuk, E.V. Maystruk, I.P. Kozyarskiy, K.S. Ulyanytskiy, J. Rappich, Features of the optical and electrical properties of polycrystalline CdTe films, prepared by thermal evaporation, Physics of the Solid State  56 (2014) 1947-1951 (IF = 0.95)
  23. M. N. Solovan, V. V. Brus, P. D. Maryanchuk, I. M. Fodchuk, V. M. Lorents, A. M. Sletov, M. M. Sletov, M. Gluba, Structural and рhotoluminescent properties of TiN thin films, Optics and Spectroscopy, . 117 (2014) 753–755 (IF = 0.801)
  24. M.N. Solоvan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Electrical and photoelectrical properties of anisotype heterojunctions n-TiN/p-Si, Semiconductors 47 (2013) 1174-1179. (IF = 0.691)
  25. M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, T.T. Kovalyuk, J. Rappich, M. Gluba, Kinetic properties of TiN thin films prepared by the reactive magnetron sputtering, Physics of the Solid State 55 (2013) 2234-2238. (IF =  0.95)
  26. M. N. Solоvan, P.D. Maryanchuk, V.V. Brus, O.A. Parfenyuk, Electrical and optical properties of TiO2 and TiO2:Fe thin films, Inorganic Materials 48(10) (2012) 1026-1032 (IF = 0.771)