Ковалюк Тарас Тарасович

Посада: асистент

Вчений ступінь: кандидат фізико-математичних наук

E_mail: t.kovalyuk@chnu.edu.ua

Тематика наукових досліджень:
Дослідження технології одержання та фізичних властивостей напівмагнітних напівпровідників на основі халькогенідів та твердих розчинів на їх основі.

Наукові профілі:
Scopus
Google scholar
Web of Science ResearcherID
ORCID

Стажування та підвищення кваліфікації:

  1. Листопад 2015 – Квітень 2016
    UMASS Lowell (USA) Visiting Researcher – Rapid thinning of GaN and SiC substrates for epi-ready and power devices by layer lift-off. University of Massachusetts Lowell, Kennedy College of Sciences, Department of Physics and Applied Physics, Lowell, USA, US20150258769A1.
  2. Серпень 2019 – по теперішній час
    Charles University in Prague (Czech Republic) Postdoctoral Researcher – Physics of MArtensitic Transformations for the FUNctionality enhancement of crystalline materials and nanostructures (MATFUN). Charles University in Prague, Faculty of Mathematics and Physics, Prague, Czech Republic N–CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000487

Додаткова інформація: 
Народився 10 червня 1987 року в с. Прутівка, Снятинського р-ну, Івано-Франківської області.
Освіта:
В 2004 році закінчив Прутівську ЗОШ I-III ст.
З 2005 по 2008 роки навчався в Чернівецькому Індустріальному коледжі. 
З 2008 по 2011 роки навчався на кафедрі електроніки і енергетики фізичного факультету Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича.
В 2011 році закінчив Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича і отримав повну вищу освіту за спеціальністю “Фізична та біомедична електроніка” та здобув кваліфікацію спеціаліста з електроніки.
З 2011 р. по 2014 р. навчався в аспірантурі за спеціальністю 01.04.10 – “Фізика напівпровідників і діелектриків ” на кафедрі електроніки і енергетики Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (науковий керівник – проф. Мар’янчук П. Д.).
В 2014 році захистив кандидатську дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук на тему «Магнітні, кінетичні і оптичні властивості кристалів Hg1-x-yCdxMeySe (Me: Eu, Gd, Dy)».
Досвід роботи:
З серпня 2019 – по теперішній час працює науковим співробітником на кафедрі конденсованого середовища в Карловому університеті (Прага, Чехія).
З 15.11.2015 по 15.04.2016 – пройшов п’ятимісячне стажування в Університеті штату Массачусетс Лоуелл (Лоуелл, США).
З 2015 року асистент кафедри електроніки і енергетики.

Основні публікації

Патенти:

  1. Пат. № 103918 МПК H01L 33/00, С23C 14/35 від 12.01.2016 Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4// Солован М.М., Майструк Е.В., Мостовий А.І., Мар’янчук П.Д., Брус В.В., Ковалюк Т.Т., Козярський Д.П., Козярський І.П. заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 02.06.2015; опубл. 12.01.2016, Бюл. № 1 – 4с.
  2. Пат. 116079 МПК H01L 33/00 Спосіб одержання тонкої плівки // Мостовий А.І., Солован М.М., Майструк Е. В., Ковалюк Т.Т., Мар’янчук П.Д.заявник і патентоутримувач Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича. заявл. 31.10.2016; опуб. 05.2017, бюл. № 9– 4с.

Статті:

  1. M. Klicpera, M. Kratochvílová, F. Malý, T. Kovaliuk, J. Valenta, R.H. Colman. Systematic search for new Co2YZ and Rh2YZ Heusler alloys based on theoretical calculations. Intermetallics (2021), 130, p. 107060. IF (Scopus) = 3.398
  2. Kovaliuk T.T., Solovan M.N., Maryanchuk P.D. Electrical and  photoelectric  properties  of  MoN/p-CdTe  and  MoN/n-CdTe heterojunctions.  Tekhnologiya  i  Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2021, no. 1–2, pp. 33–38.
  3. M. Klicpera, M. Kratochvílová, T. Kovaliuk, J. Valenta, R.H. Colman. Characterization, specific heat and magnetization measurements on Ni2YZ Heusler alloys. Journal of Magnetism and Magnetic Materials (2020), 513, p. 167083. IF (Scopus) = 2.717
  4. Kovaliuk, T.T., Solovan, M.M., Parfenyuk, O.A., Koziarskyi, I.P., Maryanchuk, P.D. Physical properties of CrxN thin films. Proc. SPIE. (2020), 11369, 113691F. IF (Scopus) = 0.37
  5. Koziarskyi, I.P., Maistruk, E.V., Koziarskyi, D.P., Andrushchak, G.O., Kovaliuk, T.T.Heterostructures on the basis of thin films (3ZnTe)0.5(In2Te3)0.5 Proc. SPIE. (2020), 1369, 113691A IF (Scopus) = 0.37
  6. П.Д. Мар’янчук, М.М. Солован, Т.Т. Ковалюк, А.І. Мостовий, М.М. Грицюк. Електричні та фотоелектричні властивості діодів шотткі графіт/n-Si виготовлених за методикою «олівець-на-напівпровіднику». Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2020. – T. 17 ( № 4). – C. 44 – 51.
  7. Mykhailo Solovan, Taras Kovaliuk, Pavlo MaryanchukEffect of Silicon Surface Treatment on the Electrical and Photoelectric Properties of Nanostructured MoOx/n-Si Heterojunctions. East european journal of physics – 2019. – № 2. – P. 33 – 38.  
  8. M.N. Solovan, G.O. Andrushchak, A.I. Mostovyi, T.T. Kovaliuk, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk. Graphite/p-SiC Schottky diodes prepared by the transfer of drawn graphite films on SiC. Semiconductors (2018). 52 (2), pp 236–241. IF (Scopus) = 0.701
  9. Ковалюк Т.Т., Майструк Э.В., Солован М.Н., Козярский И.П., Марьянчук П.Д. Исследование кристаллов Cu2ZnSnSe4 гетеропереходов на их основе. „Технология и конструирование в электронной аппаратуре ” – 2018. –№ 5-6. – С. 37-43.
  10. Е.В. Майструк, Т.Т. Ковалюк, М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук „Електричні властивості гетероструктур n-TiN/p-Cd3In2Te6” “Журнал нано- та електронної фізики”, Т. 10, No. 5, 05028 (5 cc). 2018.
  11. M.M. Solovan, J. Farah, T.T. Kovaliuk, V.V. Brus, A.I. Mostovyi , E.V. Maistruk , P.D. Maryanchuk, Heterojunction photodiode on cleaved SiC, Proc. SPIE. (2018), 10612, pp. 106120K. IF (Scopus) = 0.37
  12. T.T. Kovaliuk, M.M. Solovan, O.A. Parfenyuk, V.V. Brus, I.P. Koziarskyi, P.D. Maryanchuk, Influence of technological conditions on optical and structural properties of molybdenum oxide thin films, Proc. SPIE. (2018), 10612, pp. 1061210. IF (Scopus) = 0.37
  13. Solovan M.M., Brus V.V., Mostovyi A.I., Maryanchuk P.D., Orletskyi I.G., Kovaliuk T.T., Abashin S. L. “Silicon nanowire array architecture for heterojunction electronics” “Semiconductors”, 2017, Vol. 51, No. 4, pp. 542–548. IF (Scopus) = 0.701.
  14. M. N. Solovan, A. I. Mostovoi, S. V. Bilichuk, F. Pinna, T.T. Kovalyuk, V. V. Brus, E. V. Maistruk, I. G. Orletskii, P.D. Maryanchuk. Structural and optical properties of Cu2ZnSn(S,Se)4 films obtained by magnetron sputtering of a Cu2ZnSn alloy target. Physics of the Solid State, (2017). 59 (8), pp. 1643–1647. IF (Scopus) = 0.831.
  15. Kovalyuk, T.T., Maistruk, E.V., & Maryanchuk, P.D. (2016). Magnetic, optical, and kinetic properties of Hg1−x−yCdxGdySe crystals.Inorganic Materials, 52(5), 447-451.
  16. Ковалюк Т.Т., Солован М.Н., Мостовой А.И., Майструк Э.В., Пархоменко Г.П., Марьянчук П.Д. (2015). Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – № 5-6, –С. 45–49.
  17. Т.Т. Ковалюк, М.М. Солован, А.І. Мостовий, Е.В. Майструк, О.В. Пустовой, П.Д. Мар’янчук (2015). Магнітні, кінетичні і оптичні властивості кристалів Cu2ZnSnSe2Te2 та гетероструктури на їх основі. Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика.  –Т 4, вип. 1. – С. 48–53.
  18. Kovalyuk, T.T., Maryanchuk, P.D., Maistruk, E.V., & Koziarskyi, I.P. (2014). Physical properties of Hg1−x−yCdxEuySe crystals. Inorganic Materials, 50(3), 241-245.
  19. Kovalyuk, T.T., Maistruk, E.V., & Maryanchuk, P.D. (2014). Effect of annealing on the kinetic properties and band parameters of Hg1−x−yCdxEuySe semiconductor crystals. Semiconductors, 48(12), 1680-1684.
  20. Kovalyuk, T.T., Maryanchuk, P.D., & Abashin, S.L. (2014). Composition and predominant electron scattering mechanisms in Hg1−x−yCdxEuySe crystals. Inorganic Materials, 50(10), 987-991.
  21. Т.Т. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, Э.В. Майструк (2014). Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1-x-yCdxDyySe. Технология и конструирование в электронной аппаратуре .–№1, –С. 47–51.
  22. Т.Т. Ковалюк, П.Д. Мар’янчук, Е.В. Майструк, С.Л. Абашин (2014). Елементний склад, механізми розсіювання електронів та вплив відпалу на фізичні властивості кристалів   Hg1-x-yCdxDyySe. Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика –Т. 3, вип. 1. – С. 49–55.
  23. П.Д. Марьянчук, Л.Н. Дымко, Т.Р. Романишин, Т.Т. Ковалюк, В.В. Брус, М.Н. Солован, А.И. Мостовой (2014). Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al2Te3)x,  легированных марганцем. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. –№ 2-3, –С. 54–60.
  24. Kovalyuk, T.T., Maryanchuk, P.D., Maistruk, É.V., & Koziarskyi, D.P. (2013). Optical properties of Hg1-x-yCdxDyySe crystals. Russian Physics Journal, 56(7), 831-836.
  25. Kovalyuk, T.T., Maistruk, E.V., & Maryanchuk, P.D. (2013). Magnetic, optical, and kinetic properties of Hg1-x-yMnxDyyTe crystals. Inorganic Materials, 49(5), 445-449.
  26. Kovalyuk, T.T., Maistruk, E.V., & Maryanchuk, P.D. (2013). Optical coefficients of Hg1−x−yCdxEuySe crystals.Optics and Spectroscopy (English Translation of Optika i Spektroskopiya), 115(6), 848-851.
  27. Solovan, M. N., Brus, V. V., Maryanchuk, P. D., Kovalyuk, T.T., Rappich, J., & Gluba, M. (2013). Kinetic properties of TiN thin films prepared by reactive magnetron sputtering.Physics of the Solid State, 55(11), 2234-2238.