Публікації:
- Anatychuk L.I., Nitsovich O.V. Research of double-layer thermoelements with periodically profiled surface // Journal of Thermoelectricity. – №1. – 2015 – p. 41-48.
- Анатичук Л.І., Кобилянський Р.Р., Константинович І.А., Кузь Р.В., Маник О.М., Ніцович О.В., Черкез Р.Г. Технологія виготовлення термоелектричних мікробатарей // Термоелектрика. − № 6. – с.49-54. – 2016.
- Ніцович О.В., Сербин М.В. Фрагменти з історії винайдення Ві2Те3 та його перших практичних використань // Фізика і хімія твердого тіла. – Т.19, №4. – с.34-39. – 2018.
- Ніцович О.В. Дослідження умов формування плоского фронту кристалізації при вирощуванні термоелектричного матеріалу на основі Ві2Те3 методом вертикальної зонної плавки // Термоелектрика. – №3. – с.76-82. – 2018.
- Ніцович О.В. Комп’ютерне моделювання процесу кристалізації Ві2Те3 при наявності електричного струму // Термоелектрика. – №5. – с.12-21. – 2018.
- Анатичук Л.І., Ніцович О.В. Комп’ютерне дослідження впливу ефекту Пельтьє на процес кристалізації термоелектричних матеріалів на основі Ві2Те3 // Термоелектрика. – №2. – с.34-40. – 2019.
Патенти:
- Патент № 134668 від 27.05.2019 р. Промислова установка для вирощування термоелектричного матеріалу n- та p- типів провідності на основі телуриду вісмуту // Л.І. Анатичук, О.В. Ніцович, В.В. Разіньков, В.А. Семешкін. – 2019.
2. Патент 136815 Україна, МПК C30B 13/00. Термоелектричний матеріал на основі Ві-Те / Ніцович О.В., Разіньков В.В., Ліліцак В.Н. – № u201900399; заявл. 14.01.2019; опубл. 10.09.2019, бюл. № 17.