Ніцович Ольга Володимирівна

 

Ніцович Ольга Володимирівна

кандидат фіз.-мат. наук,

асистент кафедри термоелектрики та медичної фізики

Email: o.nitsovich@chnu.edu.ua

  1. Коло наукових інтересів – Темоелектричне матеріалознавство, комп’ютерне моделювання процесів вирощування матеріалів.
  2. Досвід роботи:
  • Освіта: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, фізичний факультет, кафедра термоелектрики (2005р.).
  • Місця роботи: Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, асистент; Інститут термоелектрики НАН та МОН України – науковий співробітник.
  • Тема дисертації: Фізика штучно-анізотропних термоелементів (2009р.).
  1. Навчальні дисципліни: Прикладне матеріалознавство; Термоелектричне матеріалознавство; Основи наукових досліджень; Фізичні основи нетрадиційних та альтернативних джерел енергії.

Основні публікації та патенти:

Публікації:

  1. Anatychuk L.I., Nitsovich O.V. Research of double-layer thermoelements with periodically profiled surface // Journal of Thermoelectricity. – №1. – 2015 – p. 41-48.
  2. Анатичук Л.І., Кобилянський Р.Р., Константинович І.А., Кузь Р.В., Маник О.М., Ніцович О.В., Черкез Р.Г. Технологія виготовлення термоелектричних мікробатарей // Термоелектрика. − № 6. – с.49-54. – 2016.
  3. Ніцович О.В., Сербин М.В. Фрагменти з історії винайдення Ві2Те3 та його перших практичних використань // Фізика і хімія твердого тіла. – Т.19, №4. – с.34-39. – 2018.
  4. Ніцович О.В. Дослідження умов формування плоского фронту кристалізації при вирощуванні термоелектричного матеріалу на основі Ві2Те3 методом вертикальної зонної плавки // Термоелектрика. – №3. – с.76-82. – 2018.
  5. Ніцович О.В. Комп’ютерне моделювання процесу кристалізації Ві2Те3 при наявності електричного струму // Термоелектрика. – №5. – с.12-21. – 2018.
  6. Анатичук Л.І., Ніцович О.В. Комп’ютерне дослідження впливу ефекту Пельтьє на процес кристалізації термоелектричних матеріалів на основі Ві2Те3 // Термоелектрика. – №2. – с.34-40. – 2019.

Патенти:

  1. Патент № 134668 від 27.05.2019 р. Промислова установка для вирощування термоелектричного матеріалу n- та p- типів провідності на основі телуриду вісмуту // Л.І. Анатичук, О.В. Ніцович, В.В. Разіньков, В.А. Семешкін. – 2019.

     2.  Патент 136815 Україна, МПК C30B 13/00. Термоелектричний матеріал на основі Ві-Те / Ніцович                О.В., Разіньков В.В., Ліліцак В.Н. – № u201900399; заявл. 14.01.2019; опубл. 10.09.2019, бюл. № 17.